跳到主要內容

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表
研究生： 甘佳民
Jian-Ming Gan
論文名稱： 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
指導教授： 綦振瀛
Jen-Inn Chyi
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 資訊電機學院 - 電機工程學系
Department of Electrical Engineering
畢業學年度： 89
語文別： 中文
論文頁數： 63
中文關鍵詞： 氮化鋁 、中間層 、異質接面場效電晶體 、氮化鎵 、氮化鋁鎵/氮化鎵
外文關鍵詞： AlN, interlayer, HFET, GaN, AlGaN/GaN
相關次數： 點閱：22  下載：0 
分享至:
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報


    • 第㆒章導論 1.1 回顧Ⅲ-Ⅴ族半導體於高速元件的發展 1 1.2 氮化鎵材料介紹 2 第㆓章元件之原理與製程 2.1 高速電子遷移率場效電晶體工作原理及材料特性討論 4 2.2 AlGaN/GaN 異質接面場效電晶體的製程 7 第㆔章元件量測與結果分析 3.1 磊晶結構及材料分析 14 3.1.1 元作結構 14 3.1.2 霍爾效應量測 18 3.2 直流量測 20 3.3 高頻量測 29 第㆕章AlN interlayer 對元件的影響 4.1 C-V量測 45 4.2差排於磊晶片表面之影響 55 第五章結論 59 Reference 61

    [1] W. Shockley, Proceedings of the IRE, Vol. 40, p. 1365, 1952.
    [2] C. A. Mead, Proceedings of the IEEE, Vol. 54, p. 307,1966.
    [3] L. Esaki and R. Tsu, IBM J. Res. Develop, Vol. 14,
    p.61,1970.
    [4] R. Dingle, H. L. Stormer, A. C. Gossard and W. Wiexmann,
    Appl. Phys. Lett., Vol. 33, p. 665,1978.
    [5] T. Mimura, S. Hiyamizu, T.Fujii and K. Nanbu, Jan. J. Appl.
    Phys., Vol. 19, L225,1980.
    [6] D. Delagebeaudeuf, P. Delescluse, P. Etienne, M. Laviron,
    J. Chaplart and N. T. Linh, Electron. Lett., Vol. 16,
    p. 667,1980.
    [7] A. Ketterson, M. Moloney, W. T. Messelink, J. Klem,
    R. Fischer, W. Kopp and H. Morkoc, IEEE Electron Device
    Lett, Vol. EDL-6, p.628, 1985.
    [8] G. Gradinaru, M. Asif Khan, N. C. Kao, and T. S.Sudarshan.,
    Appl. Phys. Lett.,Vol. 72, p. 1475.
    [9] A. D. Bykhovski, R. Gaska, M. S. Shur, Appl. Phys. Lett.,
    Vol 73, p.3577, 1997.
    [10] E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang,
    D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett., Vol 71,
    p. 2794, 1997.
    [11] M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W.
    Burm, M. S. Shur, Appl. Phys. Lett, Vol. 65,p. 1121, 1994.
    [12] Wu Lu, Jinwei Yang, M. Asif Khan, Ilesanmi Adesida, Tran.
    Electron Device, Vol. 48,p. 581, 2001.
    [13] L. K. Li, J. Alperin, W. I. Wang, D. C. Look, and D. C.
    Reynolds, J. Vac.Sci. Technol. B 16, 1275 ,1998.
    [14] E. D. Bourret-Courchesne,a) S. Kellermann, K. M. Yu,
    M. Benamara, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, Appl. Phys.
    Lett., Vol. 77, p.3562, 2000.
    [15] L. K. Li, B. Turk, and W. I. Wang, S. Syed, D. Simonian,
    H. L. Stormer, Appl. Phys. Lett., Vol. 76, p. 742, 2000.
    [16] E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, and J.
    Massies, C. Skierbiszewski, T. Suski, I. Grzegory, and S.
    Porowski, G. Simin, X. Hu, M. Asif Khan, M. S. Shur, R.
    Gaska, D. Maude, Appl. Phys. Lett., Vol. 77, p. 2551, 2000.
    [17] A. T. Schremer, J. A. Smart, Y. Wang, O. Ambacher, N. C.
    MacDonald, J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett., Vol 76, p.
    736, 2000.
    [18] S. J. Cai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wong, W. G. Wu, S. G.
    Thomas, K. L. Wang, Electronics Lett., Vol. 34, p. 2354,
    1998.
    [19] L. Yang et.all, “New method to measure source and drain
    resistance of the GaAs MESFET Model” IEEE Electron Device
    Lett., Vol. EDL-7, p. 75-77, 1986.
    [20] Miroslav Micovic, Ara Kurdoghlian, Paul Janke, Paul
    Hashimoto, Danny W. S. Wong, Jeong S. Moon, Loren McCray,
    Chanh Nguyen, IEEE Tran. Electron Devices, Vol. 48, p.
    591, 2001.
    [21] O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K.
    Chu, M. Murphy,W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J.A.P.,
    Vol. 85, p. 3222, 1999.
    [22] O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K.
    Chu, M. Murphy,W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J.A.P.,
    Vol. 87, p. 334, 2000.
    [23] Narihiko Maeda, Tadashi Saitoh, Kotaro Tsubaki, Toshio
    Nishida, Naoki Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, p.
    L799, 1999.
    [24] Ok-Hyun Nam, Michael D. Bremser, Tsvetanka S. Zheleva,
    Robert F. Davis, Appl. Phys. Let., Vol. 71, p. 2638, 1997.
    [25] A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur, J. A. P.,
    Vol. 81, p. 6332, 1997.

    QR CODE
    :::