本論文主要提出以平臺式(Mesa-type)非自我對準(non self-aligned)的製程方法製作完成矽鍺異質接面雙載子電晶體(Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistors；SiGe HBTs)。並對電晶體進行量測、分析、模擬與討論。所有元件製程均於國立中央大學光電科學研究中心完成；之後進行元件的特性量測。量測部份主要包括元件直流特性、高頻特性、溫度直流特性；量測的射極面積主要有AE = 75×75 μm2，AE = 3×12 μm2和AE = 4×12 μm2，之後對量測結果進行討論和分析。模擬部分以模擬軟體TMA MEDICI進行2-D(two-dimensional)結構模擬。先對量測結果進行直流特性的fitting，之後設計並模擬不同鍺成份(different Ge composition)對元件特性之影響，並對結果進行討論。
量測所得到的AE = 75×75 μm2元件，在IC = 10.3mA時的電流增益約為83，崩潰電壓BVCEO>5V。AE = 4×12 μm2之最大直流增益(βmax)為39.3，fT為10.43GHz，fmax為2.85GHz，BVCEO>5V。AE = 3×12 μm2之最大直流增益為34.8，fT為8.95GHz，fmax為2.55GHz，BVCEO>5V。

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