利用ICP-AES分析技術分析鋁箔之化學成份，配合金相觀察與極圖分析了解鋁箔基本性質。改變不同電化學蝕刻條件，所獲得的電蝕箔利用OM觀察鋁箔截面形態與SEM觀察腐蝕孔徑大小與腐蝕孔分佈形態的改變。化成處理後之化成箔，利用皮膜複製法經SEM觀察不同電蝕條件下對tunnel長度的影響。解析鋁箔經不同電蝕條件後各種腐蝕形態與表面積增加率的提升（減少）的原因。
由實驗結果可知，鋁箔的純度高達99.99％，主要微量元素為Fe、Cu及Si。透過金相觀察獲得其晶粒大小約50∼120μm。配合極圖分析，獲知鋁箔織構（texture）主要集中在(100)[001] cube方位。
增加前處理濃度能提高鋁箔表面的敏感性，促進孔蝕產生。因此腐蝕開始點與重量損失率會增加。提高電蝕溶液溫度能增加電蝕溶液對鋁箔的腐蝕能力。所以腐蝕孔徑、腐蝕孔密度、tunnel長度與重量損失率均會增加。提高電流密度可降低鋁箔的腐蝕電位。因此可增加腐蝕孔密度。提高電流量會導致tunnel長度、腐蝕孔密度與重量損失率增加。靜電容量一開始均會隨著前處理濃度、電蝕溶液溫度、電流密度及電流量等增加而提高，之後則會逐漸下降。
綜合以上得知，前處理濃度、電蝕溶液溫度、電流密度及電流量等對電蝕箔的腐蝕形態均有所影響，進而影響到靜電容量的大小。因此必須藉由了解於各電蝕條件下所獲得之腐蝕形態對靜電容量的影響，控制最佳的電蝕條件以提高靜電容量。

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