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研究生： 郭文泉
Wen-Quin Guo
論文名稱： 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井之光學特性研究
指導教授： 徐子民
Tzu-Min Hsu
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 物理學系
Department of Physics
畢業學年度： 88
語文別： 中文
論文頁數： 63
中文關鍵詞： 氮化銦鎵 、氮化鎵 、多層量子井
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    • 由光激發螢光光譜中，我們觀察到氮化鎵能隙與氮化銦鎵量子井相關訊號。藉由螢光光譜的溫度變化，發現氮化銦鎵量子井相關訊號存在著一個不尋常的發光現象，隨著溫度的升高，其峰值能量的改變呈現著一個S型的能量變化。
    藉由調制反射光譜的溫度變化，實驗結果發現氮化鎵能隙與量子井束縛能階躍遷訊號都是隨著溫度的升高，單純地往低能量偏移的現象。最後，比較調制反射光譜與螢光光譜的溫度變化，來探討氮化銦鎵量子井相關訊號的發光機制。

    第一章 簡介 …………………………………………………1 第二章 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井 ………………………7 2-1 應變的產生 ………………………………………………8 2-2 極化場 ……………………………………………………10 2-3 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井及其能帶構 ………………14 第三章 實驗方法 ………………………………………………17 3-1 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井結構之成長 ………………17 3-2 光激發螢光光譜之實驗裝置 ……………………………20 3-3 電場調製反射光譜之實驗裝置 …………………………23 3-4 光調製反射光譜之實驗裝置 ……………………………24 第四章 實驗結果與討論 ……………………………………27 4-1 光激發螢光光譜 …………………………………………27 4-1-1 螢光光譜變溫實驗 ……………………………………27 4-2 電場調制反射光譜 ………………………………………41 4-2-1 電場調制反射光譜變溫實驗 …………………………42 4-3 螢光光譜與電場調制光譜溫度變化之比較 ……………42 4-4 銦含量不同之樣品比較 …………………………………51 第五章 結論 …………………………………………………60 參考文獻 ……………………………………………………61

    [1] S. Yoshida, S. Misawa, and S.Gonda, Appl. Phys. Lett. 42, 427 (1983)
    [2] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyota, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986); H. Amano, I. Akasaki, T.Kozawa, K. Hiramatsu, N. Sawaki, K. Ikeda, and Y. Ishi, J.Lumin. 40-41, 121 (1988); I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide,
    K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989)
    [3] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 28, L2112 (1989)
    [4] H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 29, L205 (1990)
    [5] S. Nakamura, J. Appl. Phys. 30, 1705 (1991)
    [6] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 34, L1332 (1995)
    [7] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996)
    [8] S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996)
    [9] Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997)
    [10] Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997)
    [11] P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997)
    [12] P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999)
    [13] Y. -H. Cho, G. H. Gainer, A.J. Fisher, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998)
    [14] T. Wang, H. Saeki, J. Bai, T. Shirahama, M. Lachab, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 76, 1737 (2000)
    [15] K. Uchida, T. Tang, S. Goto, T. Mishima, A. Niwa, and J. Gotoh, Appl. Phys. Lett. 74, 1153 (1999)
    [16] C. Kisielowski, in Semiconductor and Semimetals, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Vol. 57, pp 275-317
    [17] I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996)
    [18] S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. Lett. 87, 965 (2000)
    [19] J. L. Sanchez-Rojas, J. A. Garrido, and E. Mu?oz, Phys. Rev. B 61, 2773 (2000)
    [20] F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997)
    [21] P. Lantenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987)
    [22] C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova and H. Pollak, Phys. Rev. B 55, 9251 (1997)
    [23] L. Bergman, M. Dutta, M. A. Stroscio, S. M. Komirenko, C. J. Eiting, D. J. Lambert, H. K. Kwon, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 76, 1969 (2000)

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