跳到主要內容

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表
研究生： 馬景時
Jing-Sh Ma
論文名稱： 氮化鎵藍色發光二極體透明電極之製作與研究
指導教授： 李清庭
Ching-Ting Lee
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 光電科學與工程學系
Department of Optics and Photonics
畢業學年度： 89
語文別： 中文
論文頁數： 62
中文關鍵詞： 氮化鎵 、藍光 、發光二極體 、鎳 、金 、銦錫氧化膜 、歐姆接觸
外文關鍵詞： GaN, blue, LED, Ni, Au, ITO, ohmic
相關次數： 點閱：9  下載：0 
分享至:
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報


    • 由於薄金屬電極有遮光，及電流不易均勻擴散等缺點，因此我們也研究銦錫氧化膜與p型氮化鎵的接觸，但因為銦錫氧化膜為一n型半導體材料，不易形成歐姆接觸，所以我們亦嘗試加入薄金屬改善其接觸特性。

    論文摘要………………………………………………………Ⅰ 目錄…………………………………………………………..Ⅱ 圖目……………………………………………………………Ⅲ 第一章 緒論…………………………………….………….1 第二章 傳輸線模型元件及量測分析 2.1歐姆接觸原理…………………………………………….4 2.2 p型氮化鎵的歐姆接觸………………………………...6 2.3傳輸線模型理論………………………………………...8 2.4傳輸線模型元件的製作…………………………………12 2.5實驗結果與討論…………………………………………14 第三章 藍色發光二極體之製作與分析 3.1氮化鎵藍色發光二極體工作原理………………………20 3.2氮化鎵藍色發光二極體元件製程………………………22 3.3氮化鎵藍色發光二極體特性……………………………23 3.4利用銦錫氧化膜避免電流擁擠效應……………………25 3.5實驗結果與討論…………………………………………25 第四章 結論……………………………………………… 27 參考文獻…………………………………………………. 28

    1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994)
    2. T. Mukai, D. Morita, and S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189/190, 778(1998)
    3. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diodes (Springer, Heidelberg, 1997)
    4. T. Mukai, H. Narimatsu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L479 (1998)
    5. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T.Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995)
    6. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1998 (1991)
    7. G. S. Nakamura, Semicond. Sci. Technol. 14,R27(1999)
    8. K. Nakamo, S. Tomiya, M. Ukita, H. Yoshida, S. Itoh, E. Morita, M. Ikeda, and A.Ishibashi, J. Electron Mater., 25, L213（1995）
    9. J. I. Pankove, E. A. Miller, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 5, 84 (1972)
    10. A. Amano, M. Kito, K.Hiramatsu, and I. Akassaki, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
    11. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Dev. Lett., 3, 111 (1982)
    12. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford Science Publication
    13. H. Kim, J. M. Lee, C. Huh, S. W. Kim, D. J. Kim, S. J. Park, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 77, 1903 (2000)
    14. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett., 74, 2340 (1999)
    15. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys., 83, 3172(1998)
    16. J. K. Kim, J. H. Je, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, I. O. Jung, B. T. Lee, and J. L. Lee, J. Electron Mater., 30, L8（2001）
    17. C. Huh, S. W. Kim, H. M. Kim, H. Hwang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 78, 1766 (2001)
    18. I. Shalish, Y. Shapira, L. Burstein, and J. Salzman, J. Appl. Phys., 89, 390(2001)
    19. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electron. Lett., 35, 1676 (1999)
    20. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and K.Tim, Appl. Phys. Lett., 73, 2953 (1998)
    21. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., 76, 415 (2000)
    22. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih , L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai , J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999)
    23. L. C. Chin, J. K. Ho, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, C. S. Jong, C.C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih, Phys. Stat. Sol., (a) 176, 733 (1999)
    24. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C.Y. Chen, and K. K. Shih, Appl. Phys. Lett., 74, 1275 (1999)
    25. L. C. Chin, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C.C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999)
    26. C. F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett., 77, 3423 (2000)
    27. B. Menschubg, C. Liu, B. Rauschenbach, K. Kornitzer, and W. Ritter, Mater. Sci. Eng., B 50,105(1997)
    28. R. G. Wilson, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. M. Zavada, Solid-State Electron. 38, 1329 (1995)
    29. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996)
    30. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, and J. T. Ross, Appl. Phys. Lett. 64, 64(1994)
    31. L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W. Weeks, Jr., Y. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395,861(1996)
    32. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997)
    33. L. Zhou, A.T. Ping, F. Khan, A. Osinsky and I. Adesida, Electronic Lett. 36, 91 (2000)
    34. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1,38(1996)
    35. D. J. King, L. Zang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lerter, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997)
    36. H. Ishikawa, S. Kobayashi,Y. Kodie, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997)
    37. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999)
    38. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Y. Lin, H. X. Jiang, T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 88, 4196 (2000)
    39. H. Kawazoe, M. Yasukaws, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi and H. Hosono, Nature, 389, 939 (1997)
    40. C. T. Lee, and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000)
    41. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C.Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 74, 3930 (1999)

    QR CODE
    :::