此論文研究主題主要是針對離子佈植對於鎳合金矽化物之影響，其中，因也許多文獻提到含鉑的鎳合金矽化物形成於矽基板上可以改善熱穩定性的特點，因此，在本研究當中的兩個子題皆以此為對照組。在第一個子題，首先先針對含鈦的鎳合金矽化物形成於預離子佈植之矽基板(PAI-Si)上之生成反應進行研究。從實驗中，發現含鈦的鎳合金矽化物形成於矽基板上，因為鈦猶如一中間層，會使鎳不容易擴散，而提早二矽化鎳(NiSi2)的生成，且退火溫度越高，根據熱力學定理，則二矽化鎳會變為一平整面，藉此改善其電性。此外，含鈦的鎳合金矽化物形成於預離子佈植之矽基板上，可發現經由低溫退火後也會有二矽化鎳相，其原因為預離子佈植之基板，表面會變為非晶質，而降低二矽化鎳成核所需的能量，另一方面，非晶質的矽也會讓鎳的擴散變快，因此，具有低電阻的矽化鎳(NiSi)生成，但再經由更高溫的退火，金屬鎳反應完之後，則二矽化鎳又開始生成，但因其非晶質矽與結晶矽之介面含有離子佈植的氙，而影響二矽化鎳的成長，因此其介面較為不平整，因此使用添加鈦的鎳合金在預離子佈植的矽基板上形成鎳合金矽化物，不僅使低電阻的矽化鎳的製程溫度變大，也可以進一步改善蕭基能障高度。
在第二個子題部分，在鎳-鐿矽化物形成於矽基板之探討的部分。從結果得知，利用鐿的添加，不僅可以生成含有低功函數的鎳-鐿矽化物，也進一步改善因為在鉑-矽系統中，NiSi薄膜經由高溫退火之後會變為島嶼狀的熱穩定性之缺點，而提升元件的可靠性。另一方面，利用碳的離子佈植製程，而在矽化過程中，因為碳不溶於矽化物，而在矽化物與矽基板之間的累積，以改善薄膜的熱穩定性，因此若能善加利用含鐿的鎳矽化物及碳離子佈植兩者所擁有的優點，定能有效改善矽化物在元件中的可靠度。

The　research　topics　that　effect　of　ion　implantation　on　nickel　alloy　silicide.　Reportedly,　the　thermal　stability　of　Ni　silicides　was　improved　by　the　introduction　of　Pt　atom.　For　comparison,　the Ni-Pt /Si　samples　were　also　prepared　at　the　same　conditions.　Frist,　one　of　this　study　investigates　the formation　of　Ni-Ti　silicide　on　preamorphization　implanted　Si ( PAI-Si).　The　system　of Ni-Ti　silicide　formed　on　the　Si　substrate,　the　NiSi2　was　the　only　silicide　phase.　This　study　proposes　a　mechanism　that　Ti-just　interface,　effectively　hindering　the　Ni　atom　diffuse　into　Si　substrate.　Furthermore,　according　to　the　theorems　of　thermodynamics,　a　flat　(100)　interface　was　formed　at　high　temperature.　In　addition,　the　Ni-Ti　silicide　formed　on　PAI-Si　substrate,　the　NiSi2　was　formed　at　low　temperature.　The　NiSi2　phase　formed　completely　through　the　amorphous　silicon　and　stopped　at　the　crystalline　substrate.　It　did　not　penetrate　further　due　to　the　absence　of　a　driving　force,　which,　in　the　case　of　reaction　with　amorphous　silicon,　is　provided　by　an　excess　free.　However,　the　rough　interfaces　of　amorphous　silicon　and　crystalline　silicon　with　ion　implantation　of　Xe,　which　will　affect　the　growth　of　nickel　disilicide.　For　the　Ni-Ti　silicide　formed　on　PAI-Si　substrate,　not　only　larger　the　low-resistance　nickel　silicide　process　temperature　but　also　improving　the　Schottky　barrier　height.
On　the　other　hand,　the　formation　of　Ni-Yb　alloy　silicides　on　Si　substrate　has　been　systematically　investigated　in　this　study.　The　presence　of　Yb　atoms　can　form　with　a　low　work　function　of　Ni-Yb　silicides　and　suppress　the　agglomeration　of　silicide　films　at　high　temperature.　In　addition,　the　process　of　carbon　ion　implantation　in　the　Ni-Yb　alloy　films,　the　carbon　is　not　soluble　in　the　silicide.　It　is　likely　that　carbon　segregates　to　the　silicide/　Si　interfaces　to　improve　the　thermal　stability　of　the　film.　If　we　can　combine　the　process　of　Ni-Yb　alloy　silicides　and　carbon　ion　implantation　we　will　be　able　to　effectively　improve　the　silicide　in　the　component　reliability.

1.1. S.　L.　Zhang,　“Self-aligned　silicides　for　ohmic　contacts　in　complementary　metal–oxide–semiconductor　technology:　TiSi2,　CoSi2,　and　NiSi”,　J.　Vac.　Sci.　Technol.　A,　22,　1361　(2004).　
1.2. S.　P.　Murarka,　“Silicide　thin　film　and　their　applications　in　microelectronics”,　Intermetallics,　3,　173　(1995).
1.3. H.　Iwa,　T.　Ohguro,　and　S.I.　Ohmi,　“NiSi　salicide　technology　for　scaled　CMOS”,　　Microelectronic　Eng.,　60,　157　(2002).
1.4. R.　Beyers　and　R.　Sinclair,”　Metastable　phase　formation　in　titanium‐silicon　thin　films”,　J.　Appl.　Phys.,　57,　5240　(1985).
1.5. A.　Lauwers,　M.　D.　Potter,　O.　Chamirian,　R.　Lindsay,　C.　Demeurisse,　C.　Vrancken,　and　K.　Maex,　“Silicides　for　the　100-nm　node　and　beyond:　Co-silicide,　Co(Ni)-silicide　and　Ni-silicide”,　Microelectronic　Eng.,　64,　131　(2002).
1.6. P.　Liu,　T.　C.　Hsiao,　and　J.　C.　S.　Woo,　“A　low　thermal　budget　self-aligned　Ti　silicide　technology　using　germanium　implantation　for　thin-film　SOI　MOSFET’s”,　IEEE　Trans.　Electron　Devices,　45,　1280　(1998).
1.7. P.　S.　Lee,　D.　Mangelinck,　K.　L.　Pey,　and　J.　Ding,　“On　the　Ni–Si　phase　transformation　with/　without　native　oxide”,　Microelectronic　Eng.,　51,　583　(2000)　
1.8. J.　B.　Lasky,　J.　S.　Nakos,　D.　J.　Cain,　and　P.　J.　Geiss,　“Comparison　of　transformation　to　low-resistivity　phase　and　agglomeration　of　TiSi2　and　CoSi2”,　IEEE　Tran.　Electron.　Devices,　ED-38,　262　(1991).
1.9. T.　Ohguro,　S.　I.　Nakamura,　and　M.　Koike,　“Analysis　of　resistance　behavior　in　Ti　and　Ni-salicided　polysilicon　films”,　IEEE　Tran.　Electron　Devices,　41,　2305　(1994).　
1.10. A.　H.　V.　Ommen,　C.　W.　T.　Bulle-Ueuwma,　and　C.　Langereis,　“Properties　of　CoSi2　formed　on　(001)　Si”　J.　Appl.　Phys.,　64,　2706　(1988).
1.11. G.　J.　V.　Gurp　and　C.　Langereis,　“Cobalt　silicide　layer　on　Si.　l.　structure　and　growth”,　J.　Appl.　Phys.,　46,　4301　(1975).
1.12. S.　S.　Lau,　J.　W.　Mayer,　and　K.　N.　Tu,　“Interaction　in　the　Co/Si　thin　film　system.　I.　kinetics”,　J.　Appl.　Phys.,　49,　4005　(1978).
1.13. K.　N.　Tu,　G.　Ottaviani,　R.　D.　Thompson,　and　J.　W.　Mayer,　“Thermal　stability　and　growth　kinetics　of　Co2Si　and　CoSi　in　thin-film　reaction”,　J.　Appl.　Phys.,　53,　4406　(1982)　.
1.14. G.　J.　V.　Grup,　W.　F.　V.　D.　Weg,　and　D.　Sigurd,　“Interaction　in　the　Co/Si　thin　film　system.　II.　diffusion　maker　experiments”,　J.　Appl.　Phys.,　49,　4011　(1978).　
1.15. C.　Lavoie,　F.　M.　d’Heurle,　C.　Detavernier,　and　C.　Cabral　Jr.,　“Towards　implementation　of　a　nickel　silicide　process　for　CMOS　technologies”,　Microelectronic　Eng.,　70,　144　(2003).
1.16. C.　C.　Wang,　H.　H.　Lin,　and　M.　C.　Chen,　“Thermal　Stability　of　Cu/NiSi-Contacted　p+n　Shallow　Junction”,　J.　J.　Appl.　Physi.,　43,　5997　(2004).
1.17. A.　Lauwers,　J.　A.　Kittl,　M.　J.　H.　V.　Dal,　O.　Chamirian,　M.　A.　Pawlak,　M.　D.　Potter,　R.　Lindsay,　T.　Raymakers,　X.　Pages,　B.　Mebarki,　T.　Mandrekar,　and　K.　Maex,　“Ni　based　silicides　for　45　nm　CMOS　and　beyond”,　Mater.　Sci.　Eng.　B,　114,　29　(2004).
1.18. F.　F.　Zhao,　J.　Z.　Zheng,　Z.　X.　Shen,　T.　Osipowicz,　W.　Z.　Ga,　and　L.　H.　Chan,　“Thermal　stability　study　of　NiSi　and　NiSi2　thin　films”,　Microelectron.　Eng.,　71,　104　(2004).
1.19. D.　Ma,　D.　Z.　Chi,　M.　E.　Loomans,　W.　D.　Wang,　A.　S.　W.　Wong,　and　S.　J.　Chua,　“Kinetics　of　NiSi-to-NiSi2　transformation　and　morphological　evolution　in　nickel　silicide　thin　films　on　Si(001)”,　Acta　Mater.,　54,　4905　(2006).
1.20. D.　Z.　Chi,　R.　T.　P.　Lee,　and　S.　J.　Chua,　“Addressing　materials　and　process-integration　issues　of　NiSi　silicide　process　using　impurity　engineering”,　IEEE,113　(2004).
1.21. D.　Mangelinck,　J.　Y.　Dai,　J.　S.　Pan,　and　S.　K.　Lahiri,　“Enhancement　of　thermal　stability　of　NiSi　films　on　(100)Si　and　(111)Si　by　Pt　addition”　Appl.　Phys.　Lett.,　75,　1736　(1999).
1.22. P.　S.　Lee,　K.　L.　Pey,　D.　Mangelinck,　J.　Ding,　D.　Z.　Chi,　and　L.　Chan,　“New　salicidation　technology　with　Ni(Pt)　alloy　for　MOSFETs”　IEEE　Electron　Device　Lett.,　22,　568　(2001).
1.23. J.　Demeulemeester,　D.　Smeets,　C.　Van　Bockstael,　C.　Detavernier,　C.　M.　Comrie,N.　P.　Barradas,　A.　Vieira,　and　A.　Vantomme,”　Pt　redistribution　during　Ni(Pt)　silicide　formation”,　Appl.　Phys.　Lett.,　93,　261912　(2008).
1.24. P.　S.　Lee,　K.　L.　Pey,　D.　Mangelinck,　D.　Z.　Chi,　and　T.　Osipowicz,　“On　the　morphological　changes　of　Ni-　and　Ni(Pt)-Silicides”,　J　Electrochem.　Soc.,　152,　G305　(2005).
1.25. R.　Wei　and　C.　Dongzhi,　”　Formation　mechanism　of　Ni(Pt,Ti)　ternary　alloy　ailicidation”,　　J.　Electrochem.　Soc.,　155,　H117　(2008).　
1.26. Y.　Setiawan,　P.　S.　Lee,　C.　W.　Tan,　and　K.　L.　Pey,　“Effect　of　Ti　alloying　in　nickel　silicide　formation”,　Thin　Solid　Films,　504,　153　(2006).
1.27. Y.　Setiawan,　P.　S.　Lee,　C.　W.　Tan,　K.　L.　Pey,　X.　C.　Wang,　and　G.　C.　Lim,”　Laser-induced　Ni(Ti)silicide　formation”,　Appl.　Phys.　Lett.,88,　113108　(2006).
1.28. K.　Tsutsui,　T.　Shiozawa,　K.　Nagahiro,　Y.　Ohishi,　K.　Kakushima,　P.　Ahmet,　N.　Urushihara,　M.　Suzuki,　and　H.　Iwai,　“Improvement　of　thermal　stability　of　Ni　silicide　on　N+–Si　by　direct　deposition　of　group　III　element　(Al,　B)　thin　film　at　Ni/Si　interface”,　Microelectron.　Eng.,　85,　2000　(2008).
1.29. F.　Allenstein,　L.　Budzinski,　D.　Hirsch,　A.　Mogilatenko,　G.　Beddies,　R.　Gro¨　tzschel,　and　H.-J.　Hinneberg,　“Influence　of　Al　on　the　growth　of　NiSi2　on　Si(001)”,　Microelectron.　Eng.,　82,　474　(2005).
1.30. J.　Luo,　Y.-L.　Jiang,　G.-P.　Ru,　B.-Z.　Li,　and　P.　K.　Chu,　“Silicidation　of　Ni(Yb)　film　on　Si(001)”,　J.　Electron.　Mater.,　37,　245　(2008).
1.31. L.　W.　Cheng,　S.　L.　Cheng,　and　L.　J.　Chena　“Formation　of　Ni　silicides　on　(001)　Si　with　a　thin　interposing　Pt　layer”　J.　Vac.　Sci.　Technol.　A,　18,　1176　(2000).
1.32. O.　Nakatsuka,　K.　Okubo,　Y.　Tsuchiya,　A.　Sakai,　S.　Zaima,　and　Y.　Yasuda,　“Low-temperature　formation　of　epitaxial　NiSi2　layers　with　solid-phase　reaction　in　Ni/Ti/Si(001)　systems”,　J.　J.　Appl.　Phys.,44,　2945　(2005).
1.33. U.　Falke,　F.　Fenske,　S.　Schulze,　and　M.　Hietschold,　“XTEM　studies　of　Nickel　silicide　growth　on　Si(100)　using　a　Ni/Ti　bilayer　system”,　Phys.　Stat.　Sol.　(a),　162,　615　(1997).
1.34. W.　Huang,　Y.　L.　Min,　G.　P.　Ru,　Y.　L.　Jiang,　X.　P.　Qu,　and　B.　Z.　Li,　“Effect　of　erbium　interlayer　on　nickel　silicide　formation　on　Si(100)”,　Scr.　Mater.,　254,　2120　(2008).
1.35. A.　S.　W.　Wong,　D.　Z.　Chi,　M.　Loomans,　D.　Ma,　M.　Y.　Lai,　W.　C.　Tjiu,　S.　J.　Chua,　C.　W.　Lim,　and　J.　E.　Greene,　“F-enhanced　morphological　and　thermal　stability　of　NiSi　films　on　BF2+-implanted　Si　(001)”,　Appl.　Phys.　Lett.,81,　5138　(2002).
1.36. P.　S.　Lee,　K.　L.　Pey,　D.　Mangelinck,　J.　Ding,　A.　T.　S.　Wee,　and　L.　Chan,　“Improved　NiSi　salicide　process　using　presilicide　N¬2＋　implant　for　MOSFETs”,　IEEE　Electron　Device　Lett.,　21,　566　(　2000).
1.37. W.　J.　Chen　and　L.　J.　Chen,　“Thermal　stability　of　NiSi2　on　high-dose　ion-implanted　(001)　Si”,　J.　Appl.　Phys.,　72,　653　(1991).
1.38. B.-Y.　Tsui,　C.-M.　Hsieh,　Y.-R.　Hung,　Y.　Yang,　R.　Shen,　S.　Cheng,　and　T.　Lin,　“Improvement　of　the　thermal　stability　of　NiSi　by　Germanium　ion　implantation”,　J.　Electrochem.　Soc.,　157,　H137　(2010).
1.39. O.　Nakatsuka,　K.　Okubo,　A.　Sakai,　M.　Ogawa,　Y.　Yasuda,　and　S.　Zaima,　”Improvement　in　NiSi/Si　contact　properties　with　C-implantation”,　Microelectronic　Eng.,　82,　479　(2005).
1.40. Z.　Kuwano,　J.　R.　Phillips,　and　J.　W.　Mayer,　“Resistivity　and　morphology　of　TiSi2　formed　on　Xe　+-implanted　polycrystalline　silicon”,　Appl.　Phys.　Lett.,　56,　440　(1990).
1.41. H.　O.　Bayashi,　M.　Morimoto,　and　E.　Nagasawa,　“Low-resistance　MOS　technology　using　self-aligned　refractory　silicidation”,　IEEE　Trans.　Electron　Devices,　31,　1329　(1984).
1.42. M.　P.　Ma,　C.　T.　Lin,　and　H.　C.　Cheng,　“　Fabration　of　Ti　and　Co　silicide　shallow　junctions　using　novel　techniques”,　Solid-State　and　Integrated　Circuit　Technology　,　24,　662　(1995).　
1.43. M.　H.　Juang,　M.　J.　Tsai,　M.　C.　Hu,　and　C.　J.　Yang,　“Formation　of　NiSi-silicide　shallow　P+N　junctions　by　BF2+　implantation　into　thin　Ni　or　NiSi　films　on　Si　substrates　and　subsequent　anneal”,　Solid-State　Electronics,　42,　1953　(1998).
1.44. C.　C.　Wang　,　Y.　K.　Wu,　W.　H.　Wu,　and　M.C.　Chen,　“Formation　of　NiSi-silicided　p+n　shallow　junctions　by　BF2+　implantation　into/through　silicide　and　rapid　thermal　annealing”,　J.　J.　Appl.　Phys.,　44,108　(2005).
1.45. C.　C.　Wang　and　M.　C.　Chen,　“Formation　and　Characterization　of　NiSi-Silicided　n+　p　Shallow　Junctions”,　J.　J.　Appl.　Phys.,　45,　1582　(2006).
3.1. S.　L.　Zhang,　“Self-aligned　silicides　for　Ohmic　contacts　in　complementary　metal–oxide–semiconductor　technology:　TiSi2,　CoSi2,　and　NiSi”　,　J.　Vac.　Sci.　Technol.　A　22,　1361　(2004).　
3.2. C.　C.　Wang,　H.　H.　Lin,　and　M.　C.　Chen,　“Thermal　Stability　of　Cu/NiSi-Contacted　p+n　Shallow　Junction”,　J.　J.　Appl.　Phys.,　43,　5997　(2004).
3.3. A.　Lauwers,　J.　A.　Kittl,　M.　J.　H.　V.　Dal,　O.　Chamirian,　M.　A.　Pawlak,　M.　D　Potter,　R.　Lindsay,　T.　Raymakers,　X.　Pages,　B.　Mebarki,　T.　Mandrekar,　and　K.　Maex,　“Ni　based　silicides　for　45　nm　CMOS　and　beyond”,　Mater.　Sci.　Eng.　B,　114,　29　(2004).
3.4. F.　F.　Zhao,　J.　Z.　Zheng,　Z.　X.　Shen,　T.　Osipowicz,　W.　Z.　Ga,　and　L.　H.　Chan,　“Thermal　stability　study　of　NiSi　and　NiSi2　thin　films”,　Microelectron.　Eng.,　71,　104　(2004).
3.5. D.　Ma,　D.　Z.　Chi,　M.　E.　Loomans,　W.　D.　Wang,　A.　S.　W.　Wong,　and　S.　J.　Chua,　“Kinetics　of　NiSi-to-NiSi2　transformation　and　morphological　evolution　in　nickel　silicide　thin　films　on　Si(001)”,　Acta　Mater.,　54,　4905　(2006).
3.6. D.　Z.　Chi,　R.　T.　P.　Lee,　and　S.　J.　Chua,　“Addressing　materials　and　process-integration　issues　of　NiSi　silicide　process　using　impurity　engineering”,　IEEE,　113　(2004).
3.7. D.　Mangelinck,　J.　Y.　Dai,　J.　S.　Pan,　and　S.　K.　Lahiri,　“Enhancement　of　thermal　stability　of　NiSi　films　on　(100)Si　and　(111)Si　by　Pt　addition”　Appl.　Phys.　Lett.,　75,　1736　(1999).
3.8. P.　S.　Lee,　K.　L.　Pey,　D.　Mangelinck,　J.　Ding,　D.　Z.　Chi,　and　L.　Chan,　“New　salicidation　technology　with　Ni(Pt)　alloy　for　MOSFETs”　IEEE　Electron　Device　Lett.,　22,　568　(2001).
3.9. J.　Demeulemeester,　D.　Smeets,　C.　V.　Bockstael,　C.　Detavernier,　C.　M.　Comrie,　N.　P.　Barradas,　A.　Vieira,　and　A.　Vantomme,”　Pt　redistribution　during　Ni(Pt)　silicide　formation”,　Appl.　Phys.　Lett.,　93,　261912　(2008)
3.10. P.　S.　Lee,　K.　L.　Pey,　D.　Mangelinck,　D.　Z.　Chi,　and　T.　Osipowicz,　“On　the　morphological　changes　of　Ni-　and　Ni(Pt)-Silicides”,　J　Electrochem.　Soc.,　152,　G305　(2005).
3.11. Y.　Setiawan,　P.　S.　Lee,　C.W.　Tan,　and　K.L.　Pey,　“Effect　of　Ti　alloying　in　nickel　silicide　formation”,　Thin　Solid　Films,　504,　153　(2006).
3.12. Y.　Setiawan,　P.　S.　Lee,　C.W.　Tan,　K.L.　Pey,　X.　C.　Wang,　and　G.　C.　Lim,”　Laser-induced　Ni(Ti)silicide　formation”,　Appl.　Phys.　Lett.,88,　113108　(2006).
3.13. R.　Wei　and　C.　Dongzhi,　“Formation　mechanism　of　Ni(Pt,Ti)　ternary　alloy　ailicidation”,　J.　Electrochem.　Soc.,　155,　H117　(2008)　
3.14. R.　T.　P.　Lee,　T.　Y.　Liow,　K.　M.　Tan,　A.　E.-J.　Lim,　H.-S.　Wong,　P.-C.　Lim,　Doreen　M.Y.　Lai,　G.-Q.　Lo,　C.-H.　Tung,　G.　Samudra,　D.-Z.　Chi,　and　Y.-C.　Yeo,　“Novel　nickel-alloy　silicides　for　source/drain　contact　resistance　reduction　in　N-channel　multiple-gate　transistors　with　sub-35nm　gate　length”,　IEDMS,　(2006).
3.15. S　Kal　and　B　Umapathi,　“Characterization　of　thin　titanium　silicide　films　prepared　by　PASET　and　a　conventional　process”,　Semicond.　Sci.　Technol.,　14,　857　(1999).
3.16. F.　Allenstein,　L.　Budzinski,　D.　Hirsch,　A.　Mogilatenko,　G.　Beddies,　R.　Gro¨　tzschel,　and　H.　J.　Hinneberg,　“Influence　of　Al　on　the　growth　of　NiSi2　on　Si(001)”,　Microelectron.　Eng.,　82,　474　(2005).
3.17. J.　Luo,　Y.　L.　Jiang,　G.　P.　Ru,　B.　Z.　Li,　and　P.　K.　Chu,　“Silicidation　of　Ni(Yb)　film　on　Si(001)”,　J.　Electron.　Mater.,　37,　245　(2008).
3.18. L.　J.　Chen,　S.L.　Cheng,　S.M.　Chang,　and　H.Y.　Huang,　“Auto-correlation　function　analysis　of　amorphous　interlayers　in　Ti/Si　systems”,　Materials　Science　in　Semiconductor　Processing,　4,　237　(2001).
3.19. W.　Lur　and　L.　J.　Chen,　“Growth　kinetics　of　amorphous　interlayer　formed　by　interdiffusion　of　polycrystalline　Ti　thin-film　and　single-crystal　silicon”,　Appl.　Phys.　Lett.,　54,　1218　(1989).
3.20. B.　Y.　Tsui,　C.　M.　Hsieh,　Y.　R.　Hung,　Y.　Yang,　R.　Shen,　S.　Cheng,　and　T.　Lin,　“Improvement　of　the　thermal　stability　of　NiSi　by　Germanium　ion　implantation”,　J　Electrochem.　Soc.,　157,　H137　(2010).
3.21. S.　W.　Lu,　C.　W.　Nieh,　and　L.　J.　Chen,　“Epitaxial　growth　of　NiSi2　on　ion-implanted　silicon　at　250-280　℃”,　Appl.　Phys.　Lett.,　49,　1770　(1986).
3.22. Y.　N.　Erokhin,　F.　Hong,　S.　Pramanick,　G.　A.　Rozgonyi,　B.　K.　Patnaik,　and　C.　W.　White,　“Spatially　confined　nickel　disilicide　formation　at　400　℃　on　ion　implantation　preamorphized　silicon”,　Appl.　Phys.　Lett.,　63,　3173　(1993).
3.23. U.　Falke,　F.　Fenske,　S.　Schulze,　and　M.　Hietschold,　“XTEM　studies　of　nickel　silicide　growth　on　Si(100)　using　a　Ni/Ti　bilayer　system”,　Phys.　Stat.　sol.　(a)　162,　615　(1997).
3.24. J.　A.　Kittl　Q.　Z.　Hong,　M.　Rodder,　and　T.　Breedijk,　“Novel　one-step　RTP　Ti　sailicide　process　with　low　sheet　resistance　0.06　μm　gates　and　high　drive　current”,　IEDM,　111　(1997).
3.25. C.　D.　Line,　M.　A.　Nicolet,　and　S.　S.　Lau,　“Low　temperature　formation　of　NiSi2　from　evaporated　Silicon”,　Phys.　Stat.　Sol.　(a)　81,　123　(1984).
3.26. J.　Lu,　J.　Luo,　S.　L.　Zhang,　M.　Ostling,　and　L.　Hultmana,　“On　epitaxy　of　ultrathin　Ni1−xPtx　silicide　films　on　Si　(001)”,　Electrochem.　Solid-State　Lett.,　13,　H360　(2010).
4.1. D.-X.　Xu,　S.　R.　Dasa,　C.　J.　Peters,　L.　E.　Erickson,　“Material　aspects　of　nickel　silicide　for　ULSI　applications”　,　Thin　Solid　Films,　326,　143　(1998).
4.2. C.　C.　Wang,　H.　H.　Lin,　and　M.　C.　Chen,　“Thermal　Stability　of　Cu/NiSi-Contacted　ptn　Shallow　Junction”,　J.　J.　Appl.　Phys.,　43,　5997　(2004).
4.3. A.　Lauwers,　J.　A.　Kittl,　M.　J.　H.　Van　Dal,　O.　Chamirian,　M.　A.　Pawlak,　M.　de　Potter,　R.　Lindsay,　T.　Raymakers,　X.　Pages,　B.　Mebarki,　T.　Mandrekar,　and　K.　Maex,　“Ni　based　silicides　for　45　nm　CMOS　and　beyond”,　Mater.　Sci.　Eng.　B,　114,　29　(2004).
4.4. F.　F.　Zhao,　J.　Z.　Zheng,　Z.　X.　Shen,　T.　Osipowicz,　W.　Z.　Ga,　and　L.　H.　Chan,　“Thermal　stability　study　of　NiSi　and　NiSi2　thin　films”,　Microelectron.　Eng.,　71,　104　(2004).
4.5. D.　Ma,　D.　Z.　Chi,　M.　E.　Loomans,　W.　D.　Wang,　A.　S.　W.　Wong,　and　S.　J.　Chua,　“Kinetics　of　NiSi-to-NiSi2　transformation　and　morphological　evolution　in　nickel　silicide　thin　films　on　Si(001)”,　Acta　Mater.,　54,　4905　(2006).
4.6. D.　Z.　Chi,　R.　T.　P.　Lee,　and　S.　J.　Chua,　“Addressing　materials　and　process-integration　issues　of　NiSi　silicide　process　using　impurity　engineering”,　IEEE,　pp.　113-118,　2004.
4.7. D.　Mangelinck,　J.　Y.　Dai,　J.　S.　Pan,　and　S.　K.　Lahiri,　“Enhancement　of　thermal　stability　of　NiSi　films　on　(100)Si　and　(111)Si　by　Pt　addition”　Appl.　Phys.　Lett.,　75,　1736　(1999).
4.8. P.　S.　Lee,　K.　L.　Pey,　D.　Mangelinck,　J.　Ding,　D.　Z.　Chi,　and　L.　Chan,　“New　salicidation　technology　with　Ni(Pt)　alloy　for　MOSFETs”　IEEE　Electron　Device　Lett.,　22,　568　(2001).
4.9. J.　Demeulemeester,　D.　Smeets,　C.　Van　Bockstael,　C.　Detavernier,　C.　M.　Comrie,N.　P.　Barradas,　A.　Vieira,　and　A.　Vantomme,”　Pt　redistribution　during　Ni(Pt)　silicide　formation”,　Appl.　Phys.　Lett.,　93,　261912　(2008).
4.10. P.　S.　Lee,　K.　L.　Pey,　D.　Mangelinck,　D.　Z.　Chi,　and　T.　Osipowicz,　“On　the　morphological　changes　of　Ni-　and　Ni(Pt)-Silicides”,　J.　Electrochem.　Soc.,　152,　G305　(2005).
4.11. R.　Wei　and　C.　Dongzhi,　”　Formation　mechanism　of　Ni(Pt,Ti)　ternary　alloy　ailicidation”,　　J.　Electrochem.　Soc.,　155,　H117　(2008)　
4.12. Y.　Setiawan,　P.　S.　Lee,　C.W.　Tan,　and　K.L.　Pey,　“Effect　of　Ti　alloying　in　nickel　silicide　formation”,　Thin　Solid　Films,　504,　153　(2006).
4.13. Y.　Setiawan,　P.　S.　Lee,　C.W.　Tan,　K.L.　Pey,　X.　C.　Wang,　and　G.　C.　Lim,”　Laser-induced　Ni(Ti)silicide　formation”,　Appl.　Phys.　Lett.,88,　113108　(2006).
4.14. K.　Tsutsui,　T.　Shiozawa,　K.　Nagahiro,　Y.　Ohishi,　K.　Kakushima,　P.　Ahmet,　N.　Urushihara,　M.　Suzuki,　and　H.　Iwai,　“Improvement　of　thermal　stability　of　Ni　silicide　on　N+–Si　by　direct　deposition　of　group　III　element　(Al,　B)　thin　film　at　Ni/Si　interface”,　Microelectron.　Eng.,　85,　2000　(2008).
4.15. F.　Allenstein,　L.　Budzinski,　D.　Hirsch,　A.　Mogilatenko,　G.　Beddies,　R.　Gro¨　tzschel,　and　H.　J.　Hinneberg,　“Influence　of　Al　on　the　growth　of　NiSi2　on　Si(001)”,　Microelectron.　Eng.,　82,　474　(2005).
4.16. J.　Luo,　Y.-L.　Jiang,　G.-P.　Ru,　B.-Z.　Li,　and　P.　K.　Chu,　“Silicidation　of　Ni(Yb)　film　on　Si(001)”,　J.　Electron.　Mater.,　37,　245　(2008).
4.17. J.　Luo,　Z.-J.　Qiu,　D.　W.　Zhang,　P.-E.　Hellström,　M.　Östling,　and　S.-L.　Zhang,　“Effects　of　Carbon　on　schottky　barrier　heights　of　NiSi　modified　by　dopant　segregation”,　IEEE　Electron　Device　Lett.,　30,　608　(2009).
4.18. B.-Y.　Tsui　and　C.-M.　Lee,　“Thermal　stability　of　nickel　silicide　and　shallow　junction　electrical　characteristics　with　carbon　ion　implantation”,　J.　J.　Appl.　Phys.,　49,　04DA04　(2010).
4.19. R.　T.　P.　Lee,　L.-T.　Yang,　T.-Y.　Liow,　K.-M.　Tan,　A.　E.-J.　Lim,　K.-W.　Ang,　D.　M.　Y.　Lai,　K.　M.n　Hoe,　G.-Q.　Lo,　G.　S.　Samudra,　D.　Z.　C.,　and　Y.-C.　Yeo,　“Nickel-silicide:　carbon　contact　technology　for　N-channel　MOSFETs　with　silicon–carbon　source/drain”,　IEEE　Electron　Device　Lett.,　29,　89　(2008).
4.20. W.　Knaepen,　J.　Demeulemeester,　J.　Jordan-Sweet,　A.　Vantomme,　C.　Detavernier,　R.　L.　V.　Meirhaeghe,　C.　Lavoie,　“In　situ　x-ray　diffraction　study　of　Ni–Yb　interlayer　and　alloy　systems　on　Si(100)”,　J.　Vac.　Sci.　Technol.,　A　28,　20　(2010).