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研究生: 謝恂
Shyun Hsieh
論文名稱: 使用空間相關性分析之雙級運算放大器佈局
Two-Stage OP-Amp Layout by Spatial Correlation Analysis
指導教授: 陳竹一
Jwu-E Chen
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 資訊電機學院 - 電機工程學系
Department of Electrical Engineering
畢業學年度: 94
語文別: 中文
論文頁數: 50
中文關鍵詞: 最佳佈局方式不匹配空間相關性
外文關鍵詞: parameter variation, mismatch, spatial correlation
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  • 傳統在做電路模擬分析時,往往將元件參數彼此間的變動視為獨立而不相關,但是電路在晶圓廠製造過程中,電晶體彼此間的參數變動會有某種程度的關聯性;故本論文主要是建立一個:引入元件參數彼此間有空間相關性的模擬方式,來分析雙級運算放大器效能的表現,並藉由此方法來找尋類比電路在佈局時電晶體最佳的擺放位置。


    We used to treat the parameter between devices as independent in traditional circuit simulation. However, the parameter variation in each transistor should have certain correlation during manufacturing process. This thesis presents a methodology to simulate a two-stage OP-Amplifier with spatial correlation in each transistor parameter. Based on this method, the best transistor permutation in this analog circuit is found.

    摘 要 I Abstract III 誌 謝 IV 目 錄 V 圖目錄 VIII 表目錄 X 第一章 簡介 1 第二章 前置作業 3 2-1 電晶體的不匹配 3 2-2 不匹配參數的萃取與統計特性 5 2-3 相關性基本定理 8 2-3-1 平均值(mean, μ) 8 2-3-2 變異數(variance, σ2) 8 2-3-3 標準差(standard deviation, σ) 8 2-3-5 相關係數(Correlation coefficient, ρ) 10 2-4空間上的相關性 11 第三章 實驗設計 14 3-1 CMOS雙級運算放大器的設計 15 3-2 產生多維相關性矩陣 19 3-2-1 臨限電壓的平均值 19 3-2-2 臨限電壓的標準差 20 3-2-3 臨限電壓的相關係數矩陣 21 3-3 改良原電路檔 23 3-4 兩步驟的電晶體擺置程序 23 第四章 實驗結果 27 4-1 步驟一:找出大盤面下不同需求的最佳佈局方式 28 4-1-1 輸入偏移電壓較好的排法 28 4-1-2 迴轉率(Slew Rate)較好的排法 32 4-1-3 輸出電壓擺幅(Output Swing Range, OSR)較好的排法 37 4-1-4 整理三種不同需求中較佳的排列方式 40 4-2 步驟二:針對大盤面下好的排法找出較佳的分段排法 43 4-2-1 分段式佈局的優點 43 4-2-2 找出好的分段式排法 45 第五章 結論 47 參考文獻 48

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