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研究生： 莊財福
Tsai-Fu Chuang
論文名稱： 高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究
Optical characteristics of In-rich InGaN thin film
指導教授： 徐子民
Tzu-Min Hsu
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 物理學系
Department of Physics
畢業學年度： 93
語文別： 中文
論文頁數： 48
中文關鍵詞： 氮化銦鎵
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    • 本篇論文利用光激發螢光光譜、微光激發螢光光譜及原子力顯微鏡，來研究高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）薄膜結構的發光特性。
    由光激發螢光光譜，觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦ x ≦ 1之間的發光位置。在原子力顯微鏡的影像發現，高銦含量（0.92≦ x ≦ 0.36）的氮化銦鎵表面有團狀物的形成，同時在變溫光譜中，其訊號峰值隨溫度上升，有一S型的能量變化外，半高寬變化也有不規則的改變。最後藉由不同位置及溫度改變的微光激發螢光光譜，來加以探討這些不尋常現象的原因。

    目錄 摘要 ……………………………………………………………………i 致謝 ……………………………………………………………………ii 目錄 ……………………………………………………………………iv 圖目錄 …………………………………………………………………vi 第一章 簡介 …………………………………………………………1 第二章 樣品結構及實驗裝置 ………………………………………6 2-1 氮化銦鎵薄膜樣品成長及結構 …………………………………6 2-2 光激發螢光光譜實驗裝置 ………………………………………9 2-3 微光激發光螢光光譜實驗裝置 …………………………………11 2-4 原子力顯微鏡 ……………………………………………………13 第三章 實驗結果與分析 …………………………………………17 3-1 光激發螢光光譜室溫實驗 ………………………………………17 3-2 光激發螢光光譜變溫實驗 ………………………………………24 3-2-1 二元氮化銦鎵之溫度變化螢光光譜 ………………………24 3-2-2 三元氮化銦鎵之溫度變化螢光光譜 ………………………26 3-3 微光激發螢光光譜實驗 …………………………………………37 3-3-1 不同區域的微光激發螢光光譜 ……………………………37 3-3-2 溫度變化的微光激發螢光光譜 ……………………………38 第四章 結論 ………………………………………………………43 參考文獻 ………………………………………………………………44 附錄 中英對照表 ………………………………………………………48

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