跳到主要內容

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表
研究生： 魏志豪
Gui-Hao Wei
論文名稱： 奈米矽鍍膜應用於氮化鎵藍光二極體
By coating Si nanoclusters embed in SiO2 with GaN LED
指導教授： 李清庭
Ching-Ting Lee
許進恭
Jinn-Kong Sheu
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 光電科學與工程學系
Department of Optics and Photonics
畢業學年度： 92
語文別： 中文
論文頁數： 70
中文關鍵詞： 鍍膜 、二氧化矽 、氮化鎵 、藍光二極體 、奈米矽
外文關鍵詞： Si nanoclusters, sio2, coating, GaN, LED
相關次數： 點閱：15  下載：0 
分享至:
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報

    • 本實驗的設計是利用電子束蒸鍍系統(E gun)成長二氧化矽薄膜(SiO2 film)並經過高溫熱處理後在薄膜內形成奈米矽聚集，研究此奈米矽聚集的光激發光螢光頻譜(Photoluminescence)特性並將此薄膜應用在氮化鎵(GaN)藍光發光二極體上(LED)。

    This experiment is about coating a SiO2 film with GaN LED.
    The SiO2 flim have been annealing 1000℃ 20min and 1000℃ 60min。
    We can prove that there exits Si nanoclusters in the SiO2 film when after annealing
    800℃ 10min。
    In the PL analysis,we can find a YL band peak from SiO2 film when after annealing。

    目錄 第一章 序論 1.1 GaN材料特性與藍光LED……………………1 1.2白光LED…………………………………… 4 1.3 奈米矽的研究與發展………………………6 第二章 量測系統與原理 2.1 光激發光螢光光譜儀簡介 2.1.1 光激發光螢光量測系統…………………7 2.1.2 光激發光螢光原理………………………8 2.1.3 光子在能帶間躍遷型式…………………9 2.1.4 能隙隨溫度以及摻雜濃度影響 之變化………………………………… 10 2.2 薄膜蒸鍍與介電質電子束蒸鍍系統簡介 2.2.1 電子蒸鍍系統簡介 2.2.1.1 薄膜沉積 ………………………… 11 2.2.1.2 電子束蒸鍍 ……………………… 12 2.2.2薄膜蒸鍍簡介 ………………………… 15 2.3 離子佈值系統簡介…………………………… 16 第三章 材料之發光機制 3.1 P型氮化鎵(GaN)的PL發光機制 …………… 19 3.2 奈米矽晶團(Si nanoclusters) 的PL發光機制 ……………………………… 21 第四章 實驗方法及量測步驟 4.1 準備試片……………………………………… 23 4.2 利用PL量測比較不同成長條件 的二氧化矽膜………………………………… 25 4.3 驗證PL黃光訊號為二氧化矽膜所產生………26 4.4 比較不同基板材質上成長二氧化矽膜熱處理 後的PL訊號……………………………………27 4.5 利用PL量測比較不同熱處理時間溫度的二氧 化矽膜………………………………………… 28 4.6 GaN發光二極體製程……………………………28 第五章 結果與討論 5.1電子束蒸鍍系統的較佳鍍膜條件 …………… 32 5.2 驗證PL黃光訊號………………………………38 5.3 有佈值矽與未佈值矽在室溫300K的PL比較…45 5.4在不同基板上成長SiO2的PL比較………… 58 5.5 GaN藍光LED的比較………………………… 60 第六章 未來與展望………………………………………… 67 參考文獻

    參考文獻
    [1]Annamraju Kasi, Joo In Lee, Sungkyu Yu, Dongho Kim,
    Yoon ho Choi and Chang hee Hong, J. Appl. Phys.,84,3848(1998)
    [2] K.Nakamo, S.Tomiya, M.Ukita, H.Yoshida, S.Itoh, E.Morita, M.Ikeda,and A.Ishibashi, J.Electron Mater.,25,L213（1995）
    [3]I. Pankove, E. A. Miller, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 5, 84 (1972)
    [4]A.Amano, M. Kito, K.Hiramatsu, and I. Akassaki, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
    [5]S.Nakamura and G.Fasol, The Blue Laser Diodes (Springer, Heidelberg (1997)
    [6]A.Uhlir ,Bell System Tech. J. ,35,333(1956)
    [7]L.T.Canham ,Appl. Phys. Lett. ,57,1046(1990)
    [8]Peter Deak ,Phys. Rev. Lett. ,69,2531(1992)
    [9]T.Suemoto , K.Tanaka , A.Nakajima and T.Itakura , Phys. Rev. Lett. ,70,3659
    [10]B.Delley and E.F.Steigmeier , Phys. Rev. B ,47,1397
    [11]F.Buda , J.Kohanoff and M.Parrinello , Phys. Rev. Lett.
    ,69,1272
    [12]Mark S.Hybertesn , ,Phys. Rev. Lett. ,72,1514
    [13]B.Pivac , B.Rakvin and L.Pavesi , Appl. Phys. Lett. ,
    65,3260(1994)
    [14]S.Sawada ,N.Hamada and N.Ookubo ,Phys. Rev. B ,49,5236
    (1993)
    [15]Tsutomu Shimizu-Iwayama ,Setsuo Nakao ,Kazuo Saitoh ,
    Appl. Phys. Lett ,65,1814 (1994)
    [16]P.Mutti ,G.Ghislotti ,S.Bertoni ,L.Bonoldi ,G.F.Cerofolini ,L.Meda ,E.Grilli and Guzzi , Appl. Phys. Lett ,66,851
    (1995)
    [17]S.M.Prokes , W.E.Carlos and O.J.Glembocki ,Phys. Rev. B ,
    50,17093(1994)
    [18]A.J.Kontkiewicz ,A.M.Kontkiewicz ,J.Sjejka ,S.Sen ,
    G.Nowak ,A.M.Hoff ,P.Sakthivel ,K.ahmed ,P.Mukherjee ,
    S.Witanachchi and J.Lagowski , Appl. Phys. Lett ,65,1436
    (1994)
    [19]E.Werwa ,A.A. Seraphin , L.A.Chiu ,Chuxin Zhou and K.D.Kolenbrander , Appl. Phys. Lett ,64,1821(1994)
    [20]G.Allan ,C.Delerue and M.Lannoo , ,Phys. Rev. Lett.
    76,2961(1996)
    [21]D.W.Cooke , B.L.Bennett ,E.H.Farnum ,W.L.Hults ,
    K.E.Sickafus ,J.F.Smith ,T.N.Taylor and P.Tiwai
    ,Appl. Phys. Lett ,68,1663(1996)
    [22]K.S.Min ,K.V.Shcheglov,C.M.Yang and Harry A.Atwater ,
    M.L.Brongersma and A.Polman , Appl. Phys. Lett,69,2033(1996)
    [23]G.G.Qin ,X.S.Liu ,S.Y.Ma ,J.Lin ,G.Q.Yao ,X.Y.Lin and K.X.Lin ,Phys. Rev. B ,55,12876
    [24]T.Inokuma ,Y.Wakayama ,T.Muramoto ,R.Aoki ,Y.kurata ,and S.Hasegawa J. Appl. Phys.,83,2228(1998)
    [25]I.A.Buyanova ,Mt.Wanger ,W.M.Chen ,B.Monemar ,
    J.L.Lindstrom and H.Amano and I.Akasaki ,Appl. Phys. Lett
    73,2968(1998)
    [26]Tsutomu Shimizu-Iwayama ,Norihiro Kurumado ,David E. Hole and Peter D.Townsend , J. Appl. Phys. ,83,6018(1998)
    [27]B.Garrido Fernandez ,M.Lopez ,C.Garcia ,
    A. Perez-Rodriguez ,J.R.Morante ,C.Bonafos ,M.Carrada and Claverie , J. Appl. Phys. ,91,798(2001)
    [28]K.Luterova ,I.Pelant ,I.Mikulskas ,R.Tomasiunas ,
    D.Muller ,J.-J. Grob ,J.-L. Rehspringer ,B.Honerlage
    , J. Appl. Phys. ,91,2896(2001)
    [29]Fabio Lacona ,Corrado Bongiorno ,Corrado Spinella ,
    Simona Boninelli and Francesco Priolo , J. Appl. Phys.
    95,3723(2004)
    [30]Yoshihiko Kanemistu, ,Phys. Rev. B ,53,13515(1995)
    [31]M.A.Reshchikov et al. ,Phys. Rev. B,59 ,13176(1999)
    [32] J.Neugebauer et al. ,Appl. Phys. Lett ,69,503(1996)
    [33]M.Leroux et al. Materials Science and Engineering ,B50,
    97(1997)
    [34] U.Kaufa et al. ,Appl. Phys. Lett ,72,1326(1998)
    [35] Chung et.al. J. Appl. Phys.,87,965(2000)
    [36]Pokes ,S.M ,Appl. Phys. Lett ,62,3244(1993)
    [37]Qin et al. ,J. Appl. Phys.,80,3513(1996)
    [38]Nishikawa et al. ,J. Appl. Phys.,80,3513(1996)
    [39]Zvanut et al. ,Appl. Phys. Lett ,69,28(1996)
    [40]Iwayama et al. ,J. Appl. Phys.,75,7779(1994)

    QR CODE
    :::