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研究生： 顏璽軒
Xi-Xuan Yan
論文名稱： 離子佈植技術應用於高亮度發光二極體之設計與製作
The Device Design and Fabrication of High Brightness Light Emitting Diode by Ion Implantation.
指導教授： 紀國鐘
Gou-Chung Chi
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 物理學系
Department of Physics
畢業學年度： 89
語文別： 中文
論文頁數： 69
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    加41.4﹪）。同時因電流阻隔層造成之串連電阻上升（電阻增加11.36﹪），而可能增加之熱量累積，從元件之電激光譜觀察，光譜之峰值並未因電流阻隔層的存在而產生紅移的現象，且光譜的半高寬也未見增加。可知電流阻隔區在增加元件發光強度之餘，並未嚴重影響二極體發光的波長之單一性，因此大大增加了以離子佈植製作高亮度發光二極體的實用性。

    論文摘要………………………………………………………………….i 目 錄………………………………………………………………...iii圖 目………………………………………………………………...vi 表 目………………………………………………………………...ix 第一章 導論……………………………………………………………1 第二章 實驗原理………………………………………………………4 2-1 離子佈植基礎理論 2-1.1 離子佈植的分佈及範圍 2-1.2 脫序 2-1.3 退火 2-1.4 通道效應 2-2 離子佈植製做絕緣區之機制 2-2.1 破壞誘發絕緣 2-2.2 化學誘發絕緣 2-3 霍爾量測 iii 2-4 ECV量測 2-5 高亮度發光二極體原理 2-5.1 材料 2-5.2 窗戶層 2-5.3 電流阻塞層 第三章 氫離子佈植發光二極體之結構設計………………………..26 3-1 磷化鎵的離子佈植實驗 3-1.1 離子佈植模擬 3-1.2 測試片處理步驟 3-1.3 霍爾效應與ECV量測 3-2 以離子佈植法製作高亮度發光二極體 3-2.1 元件製程步驟 3-3.2 元件特性量測 第四章 實驗結果與數據分析………………………………………..46 4-1 材料經離子佈植後之電性變化 4-1.1 以離子佈植方式參雜H＋ 4-1.2 霍爾量測 iv 4-1.3 ECV量測 4-1.4 元件特性比較 4-2 不同電流阻塞區域大小對發光效率的影響 4-2.1 元件製程條件 4-2.2 元件亮度比較 4-3 電流阻隔區大小對元件影響 4-3.1 元件電性 4-3.2 元件光性 第五章 結論與未來工作……………………………………………..64 5-1 結論 5-2 未來工作 參考文獻………………………………………………………………..68 v

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