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研究生： 許宏造
Hong-Zhau Xu
論文名稱： 氮化鎵異質結構場效電晶體製作與特性分析
指導教授： 辛裕明
Yue-Ming Hsin
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 資訊電機學院 - 電機工程學系
Department of Electrical Engineering
畢業學年度： 89
語文別： 中文
論文頁數： 58
中文關鍵詞： 氮化鎵 、異質結構場效電晶體 、小訊號等效電路模型
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    • 第一章 導論 § 1.1 簡介 1 § 1.2 論文綱要 2 第二章 氮化鎵碰撞游離係數 § 2.1 簡介 3 § 2.2 場效電晶體的碰撞游離原理 3 § 2.3 碰撞游離有效長度Leff 5 § 2.4 氮化鎵與砷化鎵撞擊游離係數對電場關係 7 § 2.5 結語 8 第三章 氮化鎵通道摻雜異質結構場效電晶體製作與特性分析 § 3.1 簡介 9 § 3.2 GaN HFET功率電晶體製程 9 § 3.3 GaN HFET功率電晶體特性量測 16 § 3.4 結語 28 第四章 氮化鎵異質結構場效電晶體之小訊號模型 § 4.1 簡介 29 § 4.2 理論分析 29 § 4.3 外部寄生元件參數的決定 32 § 4.4 內部本質元件參數的決定 38 § 4.5 模擬結果 45 § 4.6 本質參數非線性考量 48 § 4.7 結語 50 第五章 AlGaN/GaN 異質結構場效電晶體熱效應與熱阻值分析 § 5.1 簡介 51 § 5.2 AlGaN/GaN場效電晶體熱效應 51 § 5.3 Sapphire熱阻值計算 53 § 5.4 結語 55 第六章 結論 56 參考文獻 57

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