簡易檢索 / 詳目顯示
| 研究生： |
陳柏翰 Po-Han Chen |
|---|---|
| 論文名稱： |
磷化銦/砷化銦鎵雙異質接面雙極性電晶體之製程與分析 Fabrication and Analysis of InP/InGaAs Double Heterojuction Bipolar Transistors |
| 指導教授： |
綦振瀛
Jen-Inn Chyi |
| 口試委員: | |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
資訊電機學院 - 電機工程學系 Department of Electrical Engineering |
| 畢業學年度： | 93 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 53 |
| 中文關鍵詞： | 高速元件 、磷化銦 、異質接面雙極性電晶體 |
| 外文關鍵詞： | high speed device, DHBT, InP-Based |
| 相關次數： | 點閱：12 下載：0 |
| 分享至: |
| 查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
摘要
本論文主要是研究磷化銦/砷化銦鎵雙異質接面雙載子電晶體之製作與分析。利用固態源分子束磊晶系統成長磷化銦/砷化銦鎵雙異質接面雙載子電晶體，改變磊晶部份，改變磷化銦間閣層之濃度與厚度，使得電晶體得以操作在120kA/cm2的電流密度下，達到fT=120GHz，fMAX=47GHz，BVCEO=4V。
利用複合集極結構，可以達成電流密度150kA/cm2，fT=130GHz，fMAX=66GHz，BVCEO > 9V。為了要更瞭解元件的特性，我們利用T-模型分析內部參數，得到電容電阻充放電時間及元件傳輸時間。分析充放電時間與元件傳輸時間可以提供給我們改善製程及磊晶結構的依據。
從萃取出來的結果得到想要提升高頻效應，電容電阻充放電時間與元件傳輸時間都需要改善，才可達到更佳的特性。在製程上，利用縮小線寬，縮小電容，在維持電阻一定的假設下，減少充放電時間。在結構上，利用縮短集極厚度，減少元件傳輸時間，另外提升抑制電流阻擋效應能力，可以減少充放電時間。
參考文獻
[1] F. Fiedler, K. Mause, G. Pitz,D. Fritzsche, E. Kuphal and H. Kräutle, “InP Based HBTs –Technology Performance and Application.” In Proc. 4th Int. Conf. On InP and Rel Mater., 1992,pp.404-409
[2] D. Ritter, R.A. Hamm, A. Feygenson, H.Temkin, and M.B. Panish S. Chandrasekhar, ”Bistable Hot Electons Transport in InGaAs/InP Composite Collector Heterojunction Bipolar Transisitors,” Appl. Phys. Lett., Vol 61,(July,1992),pp.70-72
[3] Miura, A.; Yakihara, T.; Kobayashi, S.; Oka, S.; Nonoyama, A.; Fujita, T.” InAlGaAs/ InGaAs HBT,” Electron Devices Meeting, 1992. Technical Digest., International , 13-16 Dec. 1992, pp.79 –82
[4] Minoru Ida, Kenji Kurishima, Noriyuki Watanabe, and Takatomo Enoki, “InP/InGaAs DHBTs with 341-GHz fT at high current density over 800kA/cm2,” IEDM Tech Dig, 2001, pp776-779
[5] K. Tang, G.O. Munns, and G. I. Haddad “ High fMAX InP Double Heterojunciton Bipolar Transistors with chirped InGaAs/InP Supperlattice Base-Collector junction grown by CBE,” IEEE electron device letter, vol 18, (November 1997), pp.553- 555
[6] M.W Dvorak,C.R. Bolognesi, O.J. Pitts and S.P. Watkins , “300GHz InP/GaAsSb/InP DHBTs with high current capability and BVCEO ≥ 6V,” IEEE, electron device letter, vol 22 ,No 8, (Auguest 2001), pp.361-363
[7] Hafez, W.; Jie-Wei Lai; Feng, M.”Vertical scaling of 0.25μm emitter InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors with fT of 452 GHz” IEEE, electron device letter, vol 24 ,No 7, (July 2003),Page(s): 436- 438
[8] Yongjoo Song; Kyounghoon Yang;” Reduction of extrinsic base-collector capacitance in InP/InGaAs SHBTs using a new base pad design”, Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th 12-16 May 2002 Page(s):165 – 168
[9] Spiegel, S.J.; Ritter, D.; Hamm, R.A.; Feygenson, A.; Smith, P.R.,”Extraction of the InP/GaInAs heterojunction bipolar transistor small-signal equivalent circuit” IEEE Transaction on Electron device vol.24 No.6 Page(s): 1059-1064(June 1995)
[10] D.Caffin, L.Bricard, J.Cournat, L. S. How Kee Chun, B. Luscaut, A. M. Duchenois, M. Meghelli, J. L. Benchimol, And Launay,”Passivation of InP-Based HBT’s for High Bit Rate Circuit Applictions, “Indium Phosphide and Related Materials Conference, 1997. IPRM. May 1997 Page(s):637 – 640
[11] William Liu,” Handbook of III-V of Heterojuction Bipolar transistors”, John Wiley and sons, p724,1998
[12] 王聖瑜,”磷化銦異質接面雙極性電晶體元件製作與特性分析”,碩士論文，國立中央大學，民國93年。
[13] William Liu,” Handbook of III-V of Heterojuction Bipolar transistors”, John Wiley and sons, p274,1998
