為配合不同的應用，
發展製程技術以調整材料的光折變性質，
是一個重要的課題。
電荷移轉是鈦酸鋇單晶光折變性質的關鍵，
找出電荷移轉的機制，
也就找出了控制鈦酸鋇單晶光折變性質的方法，
而氣氛處理不只是調整鈦酸鋇單晶光折變性質的重要製程，
也提供了一個有系統地改變雜質濃度的方法。
是故，
本研究中，
製作了一系列經氣氛處理的鈦酸鋇單晶，
以波長為 514.5 的雷射量測了能量增益比、
應答時間及黑暗衰減，
同時也量測了吸收光譜。
發現黑暗導電率、
電子電洞競爭及深淺能階影響著鈦酸鋇單晶光折變能量增益比、
應答速度及黑暗衰減。
而以上三者對光折變性質的影響會因氣氛處理而改變，
為了解開電子電洞競爭的疑雲，
及進一步了解波長對光折變性質的影響，
本研究中也以不同波長的雷射光量測了能量增益比與入射光強度的關係。
其結果顯示鈦酸鋇單晶經適當的還原處理 ($10^{-8}atm$) 會呈現電子電洞競爭的現象，
同時也為波長與光折變性質的關係提供了相關的資料。
近年的研究顯示電荷移轉決定了材料的光折變性質，
本研究也嘗試著以光誘吸收差光譜配合波長與能量增比的關係，
把電荷移轉的機制找出來。
經由解析光誘吸收差光譜成功地找出了電荷移轉與波長的關係，
也發現鈦酸鋇單晶的光折變性質主要由電荷移轉來決定，
而波長決定發生何種電荷移轉。

[1] P. G"{u}nter and J. -P. Huignard, eds., Photorefractive Material and Their Applications I and II, Vols.
61 and 62 of Topics in Applied Physics (Springer-Verlag, Berlin, 1988, 1989)
[2]N. V. Kukhtarev, V. B. Markov, S. G. Odoulov, M. S. Soskin and V. L. Vinetskii: Ferroelectrics 22,
949(1979).
[3]G. C. Valley: J. Appl. Phys. 59, 3363(1986).
[4]F. P. Strohkendl, J. M. C. Jonathan and R. W. Hellwarth: Opt. Lett. 11, 312(1986).
[5]R. N. Schwartz, and B. A. Wechsler: Phys. Rev. B 48, 7057(1993).
[6]H. Kross, R. Scharfschwerdt, O. F. Schirmer and H. Hesse: Appl. Phys. B 61, 1(1995).
[7]H. Kross, E. Possenriede, R. Scharfschwerdt, T. Varnhorst, O. F. Schirmer, H. Hesse and C. Kuper: Optical
Materials 4, 153(1995).
[8]A. Ashkin, G. D. Boyd, J. M. Dziedic, R. G. Smith, A. A. Ballman, J. J. Levinstein, K. Nassau: Appl. Phys.
Lett. 9, 72(1966).
[9]F. S. Chen, J. T. LaMacchia, D. B. Fraser: Appl. Phys. Lett. 13. 223(1968).
[10]Ph. Delaye, L. A. Montmorillon, I. Biaggio, J. C. Launay, G. Rossen:
Opt. Commun. 134(1997)580.
[11]Mingjun Chi, S. X. Dou, Yoing Zhu, Peixian Ye: Opt. Commun. 170(1999)115.
[12]K. Buse: Appl. Phys. B 64, 273-291(1997).
[13]K. Buse: Appl. Phys. B. 64, 391-407(1997).
[14]J. I. Pankove: Optical Processes in Semiconductors, Dover Publications, New York,1971.
[15]M. B. Klein and George C. Valley: J. Appl. Phys. 57(11), 4901(1985)
[16]P. G. Schunemann, D. A. Temple, R. S. Hathcock, H. L. Tuller, H. P. Jenssen, D. R. Gable, and C. Warde: J.
Opt. Soc. Am. B 5(8), 1685(1988)
[17]U. van Stevendaal, K. Buse, S. Kamper, H. Hesse, E. Kr"{a}tzig: Appl. Phys. B 63, 315-321(1996)
[18]K. Buse and Kr"{a}zig:Appl. Phys. B61, 27(1995).
[19]K. Buse, S. Loheide, D. Sabber, and E. Kr"{a}zig: JOSA B 13, 2644(1996).
[20]K. Buse: Appl. Phys. B 64, 273(1997).
[21]S. Ducharme and Feinberg: J. Opt. Soc. Am. B 3, 283(1986).
[22]P. G. Schunemann, T. M. Pollak, Y. Yang, Y. -Y. Teng and C. Wong:J. Opt. Soc. Am. B 5, 1702(1988).
[23]B. A. Wechsler and M. B. Klein: JOSA B 5, 1711(1988).
[24]A. Lahlafi, G. Godefroy, G. Ormancey, and P. Jullien: J. Opt. Soc. Am. B 10, 1276(1993).
[25]Hongwei Song, S. X. Dou, Mingjun Chi, Hong Gao, Yong Zhu, and Peixian Ye: Opt. Soc. Am. B 15(4), 1329(1998)
[26]U. van Stevendall, K. Buse, H. Malz, and Kr"{a}tzig: Optics Letters 24(13), 908(1999)
[27]Y. M. Chang, H. F. Wang, C. Rudowicz: J. Opt. Soc. Am. B 12(4), 544(1995).
[28]A. Mazur, O. F. Schimer, and S. Mendricsk: Appl. Phys. Lett. 70(18), 2395(1997).
[29]M. B. Klein and George C. Valley: J. Appl. Phys. 57(11), 4901(1985).
[30]P. Tayebati: J. Opt. Soc. Am. B 9(3), 415(1992).
[31]Parviz Tayebati and Daniel Mahgerefteh: J. Opt. Soc. Am. B 8(5), 1053(1991).
[32]H. Kr"{o}se, R. Scharfschwerdt, A. Mazur, O. F. Schimer: Appl. Phys. B 67, 79-86(1998).
[33]V. L. Vinetskii, N. V. Kukhtarev: Sov. Phys. Solid. State 16, 2414(1975).
[34]J. Y. Chang, C. R. Chinjen, R. H. Tsou, C. Y. Huang, C. C. Sun and M. W. Chang: Opt. Comm. 138, 101(1997).
[35]M. H. Garrett, J. Y. Chang, H. P. Jenssen and C. Warde: J. Opt. Soc. Am. B 9, 1408(1992).
[36]D. Mahgerefteh:Ph. D. dissertation, (University of Southern California, Los Angeles, Calif., 1990)
[37]D. Mahgerefteh and J. Feinberg: Phys. Rev. Lett. 64, 2195(1990).
[38]J. Y. Chang, M. H. Garrett, P. Tayebati, H. P. Jenssen, and C. Warde: JOSA B 12, 248(1995).
[39]J. Feinberg, D. Heiman, A. R. Tanguay, Jr. and R. W. Hellwarth: J. Appl. Phys. 51, 1297(1980).
[40]Ashkin, G. Boyd, J. M. Dziedzic, R. G. Smith, A. A. Kallman, J. J. Levinstein and K. Nassau: Appl. Phys.
Lett., Vol. 9, 72(1966).