不同透明導電層應用於大尺寸發光二極體之研究

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研究生：	李明祐 Ming-Yu Lee
論文名稱：	不同透明導電層應用於大尺寸發光二極體之研究
指導教授：	許進恭 Jinn-Kong Sheu 張正陽 Jeng-Yang Chang
口試委員:
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	理學院 - 光電科學與工程學系 Department of Optics and Photonics
畢業學年度：	93
語文別：	中文
論文頁數：	70
中文關鍵詞：	大尺寸發光二極體
外文關鍵詞：	LED
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為了達到高亮度發光二極體，以提供固態照明之需求，因此本論文研究以發光二極體大尺寸化與高穿透率之透明導電膜之研製為主，且利用自我對準的方式改善傳統製程氧化銦錫透明導電膜之漏電流情形，而在大面積發光二極體的尺寸設計是以1×1mm2與2×2mm2，觀察電極配置與電流壅塞的情形，以增加發光二極體的操作電流。再則我們也應用不同導電膜薄膜（Ni/Au、ITO、AZO、Ni/AZO和NiO/AZO）當作發光二極體之透明導電膜，觀察其電特性與光特性之比較。

第一章 導論 1
第二章 氮化鎵發光二極體原理與製程 5
2-1 發光二極體基本原理 5
2-2 發光二極體元件結構 7
2-3 發光二極體元件製程 7
2-4 透明導電層之應用 11
2-5 量測設備介紹 13
2-5-1 電流電壓關係量測(I-V) 13
2-5-2 二維光強度分佈影像量測 13
2-5-3 發光之光強度（L-I）量測 13
第三章 自我對準製程與比較 16
3-1 簡介 16
3-2 自我對準技術介紹 17
3-3 氧化銦錫的濕蝕刻與乾蝕刻比較 17
3-4 自我對準與內縮製程的比較 20
第四章 不同透明導電層應用於大面積發光二極體之元件特性分析 23
4-1 簡介 23
4-2 不同電極配置和電流擁塞現象之關係 23
4-3 不同透明氧化物導電層與Ni/Au 之電性與光性探討應用於發光二極體之元件特性分析 26
第五章 結論 32

                                

第一章
【1】Kai-Ming Uang, Shui-Jinn Wang_, Shiue-Lung Chen, Chin-Kun Wu, Shu-Cheng Chang, Tron-Min Chen and Bor-Wen ,J.Appl. Phys. Vol. 44, No. 4B, pp. 2516–2519(2005)
【2】Sung-Pyo Jung*, 1, Chien-Hung Lin1, Hon Man Chan1, Zhiyong Fan2, J. Grace Lu1, 2,and Henry P. phys. stat. sol. (a) 201, No. 12, 2827–2830 (2004)
【3】Kow-Ming Chang, Jiunn-Yi Chu, and Chao-Chen Cheng ,ieee photonics technology letters, Vol. 16, No. 8, (2004)
【4】C. Agashe, O. Kluth,a) J. Hu¨pkes, U. Zastrow, and B. Rech,J. Appl. Phys.Vol. 95, No. 4, 15 ( 2004)
【5】 K. Tamura, K. Nakahara, M. Sakai1, D. Nakagawa, N. Ito, M. Sonobe, H. Takasu,H. Tampo, P. Fons, K. Matsubara, K. Iwata, A. Yamada, and S. Niki,phys. stat. sol. (a) 201, No. 12, 2704–2707 (2004)
【6】June-O Song, Dong-Seok Leem, J. S. Kwak, O. H. Nam, Y. Park, and Tae-Yeon Seong ,ieee photonics technology letters, Vol. 16, No. 6, (2004)
第二章
【1】 Bhattacharya, P . Semiconductor Optoelectronic Devices. 2nd ed. Prentice Hall
【2】 Nakamura, S. Pearton, D. Fasol, G. The Blue Laser Diode: the complete story, 2nd ed. Springer Press
【3】 R. Singh, D. Doppalapudi, and T. D. Moustakas, L. T. Romano, Appl. Phys. Lett., Vol. 70, No. 9, 3 (1997)
【4】 J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Hung, J.M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998)
【5】 Mike Grundmann, Jason Haaheim, Amir Moshar, Joe Summers,Department of Electrical and Computer Engineering, University of California – Santa Barbara
第三章
【1】 W Cunningham , K Mathieson , F A McEwan , A Blue , R McGeachy , J A Mcleod , C Morrries-Ellis , V O Shea , K M Smith , ALitke and Rahman J.Phy.D:Appl.Phys.34,2804-2809（2001）
【2】 J.Y.Park,D.H.Lee,C.H.jeong,H.S.Kim,K.H.Kwon,G.Y.Yeom,Department of Materials Engineering,Sungkyunkwan University,Suwon,440-746,Korea
第四章
【1】Hyunsoo Kim, Seong-Ju Park, and Hyunsang Hwang, ieee transactions on electron devices, Vol. 49, No. 10, ( 2002)
【2】Hyunsoo Kim, Seong-Ju Park, and Hyunsang Hwanga, Appl. Phys. Lett, Vol 81, No 7(2002)
【3】Hyunsoo Kim, Ji-Myon Lee, Chul Huh, Sang-Woo Kim, Dong-Joon Kim, Seong-Ju Park,and Hyunsang Hwanga, Appl. Phys. Lett, Vol 77, No 12(2000)
【4】Shyi-Ming Pan, Ru-Chin Tu, Yu-Mei Fan, Ruey-Chyn Yeh, and Jung-Tsung Hsu ,ieee photonics technology letters, Vol. 49, No. 10,( 2002)
【5】Sung-Pyo Jung*, 1, Chien-Hung Lin1, Hon Man Chan1, Zhiyong Fan2, J. Grace Lu1, 2,and Henry P. phys. stat. sol. (a) 201, No. 12, 2827–2830 (2004)
【6】Jae-Hong Lim, Dae-Kue Hwang, Min-Ki Kwon, Il-Kyu Park, Seok-in Na, Seong-Ju Park, phys.stat.sol.(c),1-3(2005)
【7】June-O Song and Tae-Yeon Seonga ,Appl. Phys. Lett, Vol 85 , No 26 (2004)
【8】June O Song, Kyoung-Kook Kim, Seong-Ju Park, and Tae-Yeon Seonga ,Appl. Phys. Lett, Vol 83 , No 3(2003)

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