利用溶液剪切力塗佈法製備高分子與小分子混摻之有機場效電晶體元件

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表

研究生：	林芷瑜 Chih-Yu Lin
論文名稱：	利用溶液剪切力塗佈法製備高分子與小分子混摻之有機場效電晶體元件 High Performance Organic Field Effect Transistors based on a Small Molecule and Polymer Blend Organic Semiconductors Deposited by Solution-Shearing
指導教授：	劉振良 Cheng-Liang Liu
口試委員:
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	工學院 - 化學工程與材料工程學系 Department of Chemical & Materials Engineering
論文出版年：	2017
畢業學年度：	105
語文別：	中文
論文頁數：	129
中文關鍵詞：	高分子、有機材料、半導體元件、溶液製程
相關次數：	點閱：10 下載：0
分享至:	分享至facebook 分享至twitter

查詢本校圖書館目錄查詢臺灣博碩士論文知識加值系統勘誤回報

使用溶液製程於有機半導體層具有低成本、能大面積製造及能於可撓性基板製造的優點。除此之外，利用小分子與高分子混摻之半導體層製程呈現了更好的載子傳遞效能。在我們這項研究中，我們嘗試利用原先電性較差的小分子2,5-bis(3,5-diundecyldithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophen-2-yl) thieno[3,2-b]thiophene (DDTTR-TT)與高分子2-methyl-6-(5'-methyl-3,3'-bis(tetradecylthio)-[2,2'-bithiophen]-5-yl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophene (P-DTTSBT)混摻並以溶液之剪切力塗佈法製作半導體層。我們發現在特殊混摻比例下小分子與高分子相分離的狀況會最少並影響了半導體層的表面形貌，混摻半導體層也同時增加了相對於純高分子或純小分子半導體層的電性。原先的純小分子DDTTR-TT之電洞遷移率約為9.0×10-4 cm2V-1s-1，而純高分子P-DTTSBT之電洞遷移率約為6.7×10-2 cm2V-1s-1。而在小分子與高分子於溶液重量比30 %與70 %時能達到電洞遷移率2×10-1 cm2V-1s-1。

Solution processing of organic semiconductors offers great potential for achieving low cost manufacturing of large area and flexible electronics. In addition, organic field effect transistors (OFETs) based on blends of small molecule semiconductors and polymers show promise for high performance organic electronics applications. This study demonstrated the small molecule (DDTTR-TT)/polymer (P-DTTSBT) blending semiconducting layer based on solution shearing method. In this case, the results show that small molecule and polymer have a specific ratio which results in the phase separation and also affects the thin film morphology. The electrical properties are enhanced by DDTTR-TT/P-DTTSBT film. The organic field effect transistor through solution-shearing of the DDTTR-TT displays the hole mobility of 9×10-4 cm2V-1s-1 and the P-DTTSBT displays the hole mobility of 6.7×10-2 cm2V-1s-1; however, the DDTTR-TT/P-DTTSBT blends with a chlorobenzene solvent mixture in 30 % : 70 % ratio displays the highest hole mobility up to 2×10-1 cm2V-1s-1. Therefore, tuning the blending compositions change the thin film morphology and improves the transistor performance.

摘要    i
Abstract    ii
致謝    iii
目錄    iv
圖目錄    vii
表目錄    xi
第一章 緒論    1
1-1  前言    1
1-2  有機場效應電晶體簡介    2
1-2-1 元件組成結構組成    3
1-2-2 工作機制    7
1-2-3有機場效應電晶體特性曲線    9
1-3  有機半導體材料    12
1-3-1 有機共軛小分子材料    12
1-3-1-2 N型有機小分子半導體材料    15
1-3-2 有機共軛高分子材料    22
1-3-2-1 P型有機高分子材料    23
1-3-2-2 N型有機高分子材料    23
1-4  有機半導體混摻系統    30
1-5  有機半導體薄膜製程    34
1-5-1真空熱蒸鍍法    34
1-5-2溶液製程法    36
1-4-2-2旋轉塗佈法    38
1-6  研究動機    47
第二章 實驗方法    49
2-1  實驗藥品    49
2-2  實驗設備    50
2-3  實驗方法    51
2-3-1基板前處理及表面修飾層    51
2-3-2元件製備    52
2-3-3元件電性量測    54
2-4  元件半導體層薄膜量測分析    55
2-4-1偏光光學顯微鏡    55
2-4-2紫外線-可見光光譜儀    55
2-4-3光電子能譜分析儀    56
2-4-4原子力學顯微鏡    56
2-4-5低掠角X光繞射儀    57
第三章 結果與討論    58
3-1  有機小分子與高分子混摻半導體材料性質分析    58
3-2  有機場效應電晶體電性分析    59
3-3  剪切力塗佈法製程之表面形貌分析    68
3-3-1光學顯微鏡下之表面形貌    68
3-3-2原子力顯微鏡下之表面形貌    74
3-4  有機小分子與高分子混摻半導體薄膜微結構分析    76
3-5  混摻薄膜光電特性分析    81
3-5-1  紫外光-可見光光譜分析    81
3-5-2  光電子能譜分析    82
第四章 結論與未來展望    84
參考文獻    86
附錄    97

                                

1. Wang, C. L.; Dong, H. L.; Hu, W. P.; Liu, Y. Q.; Zhu, D. B. Chem. Rev. 2012, 112, 2208.
2. Park, I.; Ko, S. H.; Pan, H.; Grigoropoulos, C. P.; Pisano, A. P.; Frechet, J. M. J.; Lee, E.-S.; Jeong, J.-H. Adv. Mater. 2008, 20, 489.
3. Zhang, J.; Li, C. M.; Chan-Park, M. B.; Zhou, Q.; Gan, Y.; Qin, F.; Ong, B.; Chen, T. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 243502.
4. Choi, D.; Kim, H.; Persson, N.; Chu, P. H.; Chang, M.; Kang, J. H.; Graham, S.; Reichmanis, E. Chem. Mater. 2016, 28, 1196.
5. Acton, O.; Ting, G. G.; Shamberger, P. J.; Ohuchi, F. S.; Ma, H.; Jen, A. K. Y. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 2963.
6. Beaulieu, M. R.; Baral, J. K.; Hendricks, N. R.; Tang, Y. Y.; Briseno, A. L.; Watkins, J. J. ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 13096.
7. Nenning, A.; Opitz, A. K.; Rameshan, C.; Rameshan, R.; Blume, R.; Havecker, M.; Knop-Gericke, A.; Rupprechter, G.; Klotzer, B.; Fleigt, J. J. Phys. Chem. C 2016, 120, 1461.
8. Jones, B. A.; Facchetti, A.; Wasielewski, M. R.; Marks, T. J. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1329.
9. Minder, N. A.; Ono, S.; Chen, Z. H.; Facchetti, A.; Morpurgo, A. F. Adv. Mater. 2012, 24, 503.
10. Ito, Y.; Virkar, A. A.; Mannsfeld, S.; Oh, J. H.; Toney, M.; Locklin, J.; Bao, Z. A. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 9396.
11. Pathak, S.; Sakai, N.; Rivarola, F. W. R.; Stranks, S. D.; Liu, J. W.; Eperon, G. E.; Ducati, C.; Wojciechowski, K.; Griffiths, J. T.; Haghighirad, A. A.; Pellaroque, A.; Friend, R. H.; Snaith, H. J. Chem. Mater. 2015, 27, 8066.
12. Long, D. X.; Baeg, K. J.; Xu, Y.; Kang, S. J.; Kim, M. G.; Lee, G. W.; Noh, Y. Y. Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 6484.
13. Kim, C. H.; Hlaing, H.; Hong, J. A.; Kim, J. H.; Park, Y.; Payne, M. M.; Anthony, J. E.; Bonnassieux, Y.; Horowitz, G.; Kymissis, I. Adv. Mater. Interfaces 2015, 2, 1400384.
14. Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; da Silva, D. A.; Bredas, J. L.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
15. Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
16. Bolognesi, A.; Di Carlo, A.; Lugli, P. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4646.
17. Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Baude, P. F.; Smith, T. P.; Jones, T. D. In High Performance Organic Thin Film Transistors, MRS proceedings, 2003; Cambridge Univ Press: 2003; p L6. 5.
18. Llorente, G. R.; Dufourg-Madec, M.-B.; Crouch, D. J.; Pritchard, R. G.; Ogier, S.; Yeates, S. G. Chem. Commun. 2009, 3059.
19. Gao, P.; Beckmann, D.; Tsao, H. N.; Feng, X.; Enkelmann, V.; Baumgarten, M.; Pisula, W.; Müllen, K. Adv. Mater. 2009, 21, 213.
20. Bao, Z.; Lovinger, A. J.; Dodabalapur, A. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3066.
21. Hu, W.; Liu, Y.; Xu, Y.; Liu, S.; Zhou, S.; Zhu, D. Synth. Met. 1999, 104, 19.
22. Tang, Q.; Li, H.; He, M.; Hu, W.; Liu, C.; Chen, K.; Wang, C.; Liu, Y.; Zhu, D. Adv. Mater. 2006, 18, 65.
23. Tang, Q.; Li, H.; Song, Y.; Xu, W.; Hu, W.; Jiang, L.; Liu, Y.; Wang, X.; Zhu, D. Adv. Mater. 2006, 18, 3010.
24. Ando, S.; Murakami, R.; Nishida, J.-i.; Tada, H.; Inoue, Y.; Tokito, S.; Yamashita, Y. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 14996.
25. So, F.; Forrest, S.; Shi, Y.; Steier, W. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 674.
26. Katz, H.; Lovinger, A.; Johnson, J.; Kloc, C.; Siegrist, T.; Li, W.; Lin, Y.-Y.; Dodabalapur, A. Nature 2000, 404, 478.
27. Rost, C.; Gundlach, D. J.; Karg, S.; Rieß, W. J. Appl. Phys. 2004, 95, 5782.
28. Gundlach, D.; Pernstich, K.; Wilckens, G.; Grüter, M.; Haas, S.; Batlogg, B. J. Appl. Phys. 2005, 98, 064502.
29. Itaka, K.; Yamashiro, M.; Yamaguchi, J.; Haemori, M.; Yaginuma, S.; Matsumoto, Y.; Kondo, M.; Koinuma, H. Adv. Mater. 2006, 18, 1713.
30. Singh, T. B.; Marjanović, N.; Stadler, P.; Auinger, M.; Matt, G.; Günes, S.; Sariciftci, N. S.; Schwödiauer, R.; Bauer, S. J. Appl. Phys. 2005, 97, 083714.
31. Brown, A.; De Leeuw, D.; Lous, E.; Havinga, E. Synth. Met. 1994, 66, 257.
32. Briseno, A. L.; Mannsfeld, S. C.; Ling, M. M.; Liu, S.; Tseng, R. J.; Reese, C.; Roberts, M. E.; Yang, Y.; Wudl, F.; Bao, Z. Nature 2006, 444, 913.
33. Menard, E.; Podzorov, V.; Hur, S. H.; Gaur, A.; Gershenson, M. E.; Rogers, J. A. Adv. Mater. 2004, 16, 2097.
34. Reese, C.; Chung, W.-J.; Ling, M.-m.; Roberts, M.; Bao, Z. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 202108.
35. Chen, Z.; Müller, P.; Swager, T. M. Org. Lett. 2006, 8, 273.
36. Weitz, R.; Amsharov, K.; Zschieschang, U.; Burghard, M.; Jansen, M.; Kelsch, M.; Rhamati, B.; Van Aken, P.; Kern, K.; Klauk, H. Chem. Mater. 2009, 21, 4949.
37. Klauk, H.; Zschieschang, U.; Weitz, R. T.; Meng, H.; Sun, F.; Nunes, G.; Keys, D. E.; Fincher, C. R.; Xiang, Z. Adv. Mater. 2007, 19, 3882.
38. Park, S. K.; Jackson, T. N.; Anthony, J. E.; Mourey, D. A. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 063514.
39. Kaur, I.; Jia, W.; Kopreski, R. P.; Selvarasah, S.; Dokmeci, M. R.; Pramanik, C.; McGruer, N. E.; Miller, G. P. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 16274.
40. Zeis, R.; Siegrist, T.; Kloc, C. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 022103.
41. Peumans, P.; Forrest, S. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 126.
42. Weng, S.-Z.; Shukla, P.; Kuo, M.-Y.; Chang, Y.-C.; Sheu, H.-S.; Chao, I.; Tao, Y.-T. ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 2071.
43. Li, L.; Tang, Q.; Li, H.; Yang, X.; Hu, W.; Song, Y.; Shuai, Z.; Xu, W.; Liu, Y.; Zhu, D. Adv. Mater. 2007, 19, 2613.
44. Adiga, S. P.; Shukla, D. The J. Phys. Chem. C 2010, 114, 2751.
45. Shukla, D.; Nelson, S. F.; Freeman, D. C.; Rajeswaran, M.; Ahearn, W. G.; Meyer, D. M.; Carey, J. T. Chem. Mater. 2008, 20, 7486.
46. Seo, H.-S.; An, M.-J.; Zhang, Y.; Choi, J.-H. The J. Phys. Chem. C 2010, 114, 6141.
47. Tatemichi, S.; Ichikawa, M.; Koyama, T.; Taniguchi, Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 112108.
48. Anthopoulos, T. D.; Singh, B.; Marjanovic, N.; Sariciftci, N. S.; Montaigne Ramil, A.; Sitter, H.; Cölle, M.; de Leeuw, D. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 213504.
49. Ong, B. S.; Wu, Y.; Liu, P.; Gardner, S. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 3378.
50. Baeg, K. J.; Caironi, M.; Noh, Y. Y. Adv. Mater. 2013, 25, 4210.
51. Yan, H.; Chen, Z.; Zheng, Y.; Newman, C.; Quinn, J. R.; Dötz, F.; Kastler, M.; Facchetti, A. Nature 2009, 457, 679.
52. Kumar, B.; Kaushik, B. K.; Negi, Y. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2014, 25, 2801.
53. Dimitrakopoulos, C. D.; Mascaro, D. J. IBM J. Res. Dev. 2001, 45, 11.
54. Nair, V. S.; Sun, J.; Qi, P.; Yang, S.; Liu, Z.; Zhang, D.; Ajayaghosh, A. Macromolecules 2016, 49, 6334.
55. Garnier, F.; Hajlaoui, R.; El Kassmi, A.; Horowitz, G.; Laigre, L.; Porzio, W.; Armanini, M.; Provasoli, F. Chem. Mater. 1998, 10, 3334.
56. Ashraf, R. S.; Meager, I.; Nikolka, M.; Kirkus, M.; Planells, M.; Schroeder, B. C.; Holliday, S.; Hurhangee, M.; Nielsen, C. B.; Sirringhaus, H.; McCulloch, I. J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 1314.
57. Klauk, H.; Schmid, G.; Radlik, W.; Weber, W.; Zhou, L.; Sheraw, C. D.; Nichols, J. A.; Jackson, T. N. Solid-State Electron. 2003, 47, 297.
58. Veres, J.; Ogier, S. D.; Leeming, S. W.; Cupertino, D. C.; Mohialdin Khaffaf, S. Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 199.
59. Sirringhaus, H.; Kawase, T.; Friend, R.; Shimoda, T.; Inbasekaran, M.; Wu, W.; Woo, E. Science 2000, 290, 2123.
60. McCulloch, I.; Heeney, M.; Bailey, C.; Genevicius, K.; MacDonald, I.; Shkunov, M.; Sparrowe, D.; Tierney, S.; Wagner, R.; Zhang, W. Nat. Mater. 2006, 5, 328.
61. Shim, C.-H.; Maruoka, F.; Hattori, R. IEEE Trans. Electron Devices 2010, 57, 195.
62. Chabinyc, M. L. J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct. Process., Meas., Phenom. 2008, 26, 445.
63. Hwang, Y.-J.; Murari, N. M.; Jenekhe, S. A. Polym. Chem. 2013, 4, 3187.
64. Babel, A.; Jenekhe, S. A. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 13656.
65. Malenfant, P. R.; Dimitrakopoulos, C. D.; Gelorme, J. D.; Kosbar, L. L.; Graham, T. O.; Curioni, A.; Andreoni, W. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2517.
66. Li, J.; Du, J.; Xu, J.; Chan, H. L.; Yan, F. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 21.
67. Rost, C.; Karg, S.; Riess, W.; Loi, M. A.; Murgia, M.; Muccini, M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1613-1615.
68. Tada, K.; Harada, H.; Yoshino, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L718.
69. Babel, A.; Zhu, Y.; Cheng, K. F.; Chen, W. C.; Jenekhe, S. A. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 2542.
70. Russell, D. M.; Newsome, C. J.; Li, S. P.; Kugler, T.; Ishida, M.; Shimoda, T. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 222109.
71. Hamilton, R.; Smith, J.; Ogier, S.; Heeney, M.; Anthony, J. E.; McCulloch, I.; Veres, J.; Bradley, D. D.; Anthopoulos, T. D. Adv. Mater. 2009, 21, 1166.
72. Kang, J.; Shin, N.; Jang, D. Y.; Prabhu, V. M.; Yoon, D. Y. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12273.
73. Lee, W. H.; Lim, J. A.; Kwak, D.; Cho, J. H.; Lee, H. S.; Choi, H. H.; Cho, K. Adv. Mater. 2009, 21, 4243.
74. Chung, Y. S.; Shin, N.; Kang, J.; Jo, Y.; Prabhu, V. M.; Satija, S. K.; Kline, R. J.; DeLongchamp, D. M.; Toney, M. F.; Loth, M. A. J. Am. Chem. Soc. 2010, 133, 412.
75. Shkunov, M.; Simms, R.; Heeney, M.; Tierney, S.; McCulloch, I. Adv. Mater. 2005, 17, 2608.
76. Hwang, D. K.; Fuentes-Hernandez, C.; Berrigan, J. D.; Fang, Y.; Kim, J.; Potscavage, W. J.; Cheun, H.; Sandhage, K. H.; Kippelen, B. J. Mater. Chem. 2012, 22, 5531.
77. Lu, G.; Blakesley, J.; Himmelberger, S.; Pingel, P.; Frisch, J.; Lieberwirth, I.; Salzmann, I.; Oehzelt, M.; Di Pietro, R.; Salleo, A. Nat. Commun. 2013, 4, 1588.
78. Morana, M.; Koers, P.; Waldauf, C.; Koppe, M.; Muehlbacher, D.; Denk, P.; Scharber, M.; Waller, D.; Brabec, C. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3274.
79. Wei, Z.; Xi, H.; Dong, H.; Wang, L.; Xu, W.; Hu, W.; Zhu, D. J. Mater. Chem. 2010, 20, 1203.
80. Labram, J. G.; Domingo, E. B.; Stingelin, N.; Bradley, D. D.; Anthopoulos, T. D. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 356.
81. El Gemayel, M.; Narita, A.; Dössel, L. F.; Sundaram, R. S.; Kiersnowski, A.; Pisula, W.; Hansen, M. R.; Ferrari, A. C.; Orgiu, E.; Feng, X. Nanoscale 2014, 6, 6301.
82. Chiu, Y.-C.; Chen, T.-Y.; Chueh, C.-C.; Chang, H.-Y.; Sugiyama, K.; Sheng, Y.-J.; Hirao, A.; Chen, W.-C. J. Mater. Chem. C 2014, 2, 1436.
83. Chu, P.-H.; Zhang, L.; Colella, N. S.; Fu, B.; Park, J. O.; Srinivasarao, M.; Briseño, A. L.; Reichmanis, E. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 6652.
84. Kjellander, B.; Smaal, W. T.; Anthony, J. E.; Gelinck, G. H. Adv. Mater. 2010, 22, 4612.
85. Temiño, I.; Del Pozo, F. G.; Ajayakumar, M.; Galindo, S.; Puigdollers, J.; Mas‐Torrent, M. Adv. Mater. Technol. 2016, 1, 1600090.
86. He, Z.; Li, D.; Hensley, D. K.; Rondinone, A. J.; Chen, J. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 167.
87. Tang, W.; Feng, L.; Zhao, J.; Cui, Q.; Chen, S.; Guo, X. J. Mater. Chem. C 2014, 2, 1995.
88. Kim, Y.-H.; Anthony, J. E.; Park, S. K. Org. Electron. 2012, 13, 1152.
89. Soeda, J.; Okamoto, T.; Mitsui, C.; Takeya, J. Org. Electron. 2016, 39, 127.
90. Kaimakamis, T.; Pitsalidis, C.; Papamichail, A.; Laskarakis, A.; Logothetidis, S. RSC Adv. 2016, 6, 97077.
91. Yuan, Y.; Giri, G.; Ayzner, A. L.; Zoombelt, A. P.; Mannsfeld, S. C.; Chen, J.; Nordlund, D.; Toney, M. F.; Huang, J.; Bao, Z. Nat. Commun. 2014, 5, 3005.
92. Ahmadi, S.; Asim, N.; Alghoul, M.; Hammadi, F.; Saeedfar, K.; Ludin, N. A.; Zaidi, S. H.; Sopian, K. Int. J. Photoenergy 2014, 2014, 1.
93. Diao, Y.; Shaw, L.; Bao, Z.; Mannsfeld, S. C. Energy Environ. Sci. 2014, 7, 2145.
94. Yang, H.; Shin, T. J.; Yang, L.; Cho, K.; Ryu, C. Y.; Bao, Z. Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 671.
95. Kim, J.; Cho, S.; Kang, J.; Kim, Y.-H.; Park, S. K. ACS Appl. Mater. Interfaces 2014, 6, 7133.
96. Yuan, Y.; Giri, G.; Ayzner, A. L.; Zoombelt, A. P.; Mannsfeld, S. C.; Chen, J.; Nordlund, D.; Toney, M. F.; Huang, J.; Bao, Z. Nat. Commun. 2014, 5, 3005.
97. Kim, S. S.; Na, S. I.; Jo, J.; Tae, G.; Kim, D. Y. Adv. Mater. 2007, 19, 4410.
98. Cavallini, M.; Stoliar, P.; Moulin, J.-F.; Surin, M.; Leclère, P.; Lazzaroni, R.; Breiby, D. W.; Andreasen, J. W.; Nielsen, M. M.; Sonar, P. Nano Lett. 2005, 5, 2422.
99. Singh, M.; Haverinen, H. M.; Dhagat, P.; Jabbour, G. E. Adv. Mater. 2010, 22, 673.
100. Na, S.-I.; Kim, S.-S.; Kwon, S.-S.; Jo, J.; Kim, J.; Lee, T.; Kim, D.-Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 173509.
101. Xie, T.; Xie, G.; Du, H.; Zhou, Y.; Xie, F.; Jiang, Y.; Tai, H. IEEE Sens. J. 2016, 16, 1865.
102. Hwang, J.; Lee, J.; Kim, Y.; Lee, E.; Wang, Y.; Kim, H. Curr. Appl. Phys. 2011, 11, S154.
103. Chang, J.; Lin, Z.; Li, J.; Lim, S. L.; Wang, F.; Li, G.; Zhang, J.; Wu, J. Adv. Electron. Mater. 2015, 1, 1500036.
104. Tszydel, I.; Kucinska, M.; Marszalek, T.; Rybakiewicz, R.; Nosal, A.; Jung, J.; Gazicki‐Lipman, M.; Pitsalidis, C.; Gravalidis, C.; Logothetidis, S. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 3840.
105. Pierre, A.; Sadeghi, M.; Payne, M. M.; Facchetti, A.; Anthony, J. E.; Arias, A. C. Adv. Mater. 2014, 26, 5722.
106. Giri, G.; Park, S.; Vosgueritchian, M.; Shulaker, M. M.; Bao, Z. Adv. Mater. 2014, 26, 487.
107. Becerril, H. A.; Roberts, M. E.; Liu, Z.; Locklin, J.; Bao, Z. Adv. Mater. 2008, 20, 2588.
108. Lee, W. Y.; Oh, J. H.; Suraru, S. L.; Chen, W. C.; Würthner, F.; Bao, Z. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 4173
109. Lee, J.; Han, A.; Hong, J.; Seo, J. H.; Oh, J. H.; Yang, C. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 4128.
110. Geib, S.; Zschieschang, U.; Gsänger, M.; Stolte, M.; Würthner, F.; Wadepohl, H.; Klauk, H.; Gade, L. H. Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 3866.
111. Lee, W. Y.; Giri, G.; Diao, Y.; Tassone, C. J.; Matthews, J. R.; Sorensen, M. L.; Mannsfeld, S. C.; Chen, W. C.; Fong, H. H.; Tok, J. B. H. Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 3524.
112. Shin, J.; Hong, T. R.; Lee, T. W.; Kim, A.; Kim, Y. H.; Cho, M. J.; Choi, D. H. Adv. Mater. 2014, 26, 6031.
113. Yu, H.; Cho, H.-H.; Cho, C.-H.; Kim, K.-H.; Kim, D. Y.; Kim, B. J.; Oh, J. H. ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 4865.
114. Liu, Z.; Oh, J. H.; Roberts, M. E.; Wei, P.; Paul, B. C.; Okajima, M.; Nishi, Y.; Bao, Z. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 132.
115. Lu, C.; Chen, W. C. Chem. - Asian J. 2013, 8, 2813.
116. Giri, G.; DeLongchamp, D. M.; Reinspach, J.; Fischer, D. A.; Richter, L. J.; Xu, J.; Benight, S.; Ayzner, A.; He, M.; Fang, L. Chem. Mater. 2015, 27, 2350.
117. Oh, J. H.; Lee, W.-Y.; Noe, T.; Chen, W.-C.; Könemann, M.; Bao, Z. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 4204.
118. Gsänger, M.; Kirchner, E.; Stolte, M.; Burschka, C.; Stepanenko, V.; Pflaum, J.; Würthner, F. J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 2351.
119. Meng, Q.; Zhang, F.; Zang, Y.; Huang, D.; Zou, Y.; Liu, J.; Zhao, G.; Wang, Z.; Ji, D.; Di, C.-a. J. Mater. Chem. C 2014, 2, 1264.
120. Yu, H.; Park, K. H.; Song, I.; Kim, M.-J.; Kim, Y.-H.; Oh, J. H. J. Mater. Chem. C 2015, 3, 11697.
121. Yasuda, T.; Goto, T.; Fujita, K.; Tsutsui, T. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2098.
122. Lee, W. H.; Park, Y. D. Polymers 2014, 6, 1057.
123. Zhang, X.; Johnson, J. P.; Kampf, J. W.; Matzger, A. J. Chem. Mater. 2006, 18, 3470.

簡易檢索 / 詳目顯示

相關論文