跳到主要內容

簡易檢索 / 詳目顯示

研究生: 施嘉宏
Jia-Hong Sh
論文名稱: 碲硒化鋅磊晶層之光學特性研究
指導教授: 徐子民
Tzu-Min Hsu
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 理學院 - 物理學系
Department of Physics
畢業學年度: 89
語文別: 中文
論文頁數: 45
相關次數: 點閱:9下載:0
分享至:
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報

  • 出的理論光譜。分析碲硒化鋅合金(ZnSe1-xTex)在室溫下,能隙隨合
    金濃度組成的變化有一大的彎曲參數,且能隙在合金濃度x=0.5-0.6
    存在著極小值。光譜的寬化參數隨合金濃度組成的變化在x=0.18 有
    著極大值。及光譜的強度隨合金濃度組成的變化在x=0.18 有著極小
    值。再進而選取樣品的合金濃度分別為x £ 0.01、x =0.51、及x =0.93 三
    塊樣品做變溫光調制反射光譜實驗。說明其能隙隨溫度升高會往低能
    量偏移的現象。樣品x £ 0.01 及 x=0.93,光譜的寬化參數會隨溫度升
    高而增大;但x=0.51 因晶格缺陷濃度較大,以致其光譜的寬化參數
    受溫度的影響不大。在討論光譜強度時,當待測樣品的時間常數小於
    外加交流調變的時間,則強度隨溫度的升高會降低,樣品x £ 0.01 及
    x=0.93 即是;反之,待測樣品的時間常數大於外加交流調變的時間,
    則強度隨溫度的升高會升高,樣品x=0.51 即是。


    目錄..........................................................................................................i 圖目.........................................................................................................ii 第一章 簡介...........................................................................................1 第二章 基本原理...................................................................................4 第三章 實驗方法...................................................................................9 3-1 碲硒化鋅(ZnSe1-xTex)磊晶層(epilayer)結構之成長.........9 3-2 光調製反射光譜(PR)之實驗架設......................................... 12 第四章 實驗結果與討論...................................................................... 16 4-1 碲硒化鋅在室溫下的光調制反射光譜....................................... 19 §4-1-1 能隙隨合金濃度變化關係.................................................. 19 §4-1-2 寬化參數、強度隨合金濃度的關係.................................. 22 4-2 變溫光調制反射光譜.................................................................. 27 §4-2-1 能隙隨溫度變化之關係...................................................... 27 §4-2-2 寬化參數隨溫度變化之關係.............................................. 33 §4-2-3 強度隨溫度變化的關係...................................................... 34 第五章 結論................................................................................... 42 參考文獻............................................................................................... 44

    [1] A.Naumov, H. Stanzl, K. Wolf, S.Lankes and W. Gebhardt, J. Appl.
    Phys. 74, 6178 (1991)
    [2] H. M. Lin, Y. F. Chen, J. L. Shen and C. W. Chou, Appl. Phys. Lett.
    78, 1909 (2001).
    [3] M. J. S. P. Brasil, R. E. Nahory, F. S. Turco-Sandroff, H. L. Gilchrist,
    H. L. Gilchrist and R. J. Martin, Appl. Phys. Lett. 58, 2509 (1991)
    [4] Hosun Lee, S. M. Kim, B. Y. Seo, E. Z. Seong, S. H. Choi, S. Lee
    and J. K. Furdyna, Appl. Phys. Lett. 77, 2997 (2000).
    [5] S Lankes, H Stanzl, K Wolf, M Giegleer and W Gebhardt,J.
    Phys.:Condens. Matter. 7, 1287 (1995).
    [6] F. S. Turco-Sandroff, R. E. Nahory, M. J. S. P. Brasil, R. J. Martin
    and H. L. Gilchrist. Appl. Phys. Lett. 58, 1611 (1991).
    [7] Fred H. Pollk, Manuel Cardona, and Davud E. Aspnes, SPIE vol
    1286 Modulation Spectroscopy(1990).
    [8] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Device (John Wiley and Sons,
    New York, 1981).
    [9] H. Shen, and M. Dutta, J. Appl. Phys. 78, 2151(1995).
    [10] T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, and Y. Hamakawa, J. Appl.
    Phys. 69, 3691(1991)
    [11] L. Vegard, Z. Phys. 5, 17(1921)
    45
    [12] Bernard J E, and Zunger A, Phys. Rev. B 36, 3199(1987).
    [13] P. Lantenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M.Cardona,
    Phys. Rev. B 35, 9174 (1987).
    [14] T. Maruyama, T. Hasegawa, N. Komuro, H. Yamada, W. Ohtsuka,
    K. Akimoto, Y. Kitajima, K. Maeda and E. Yagi, J. Appl. Phys. 86,
    5993 (1999)
    [15] Ming-Fu Li, Modern semiconductor quantum physics p.96
    [16] R. Pässler, E. Griebl, H. Riepl, G. Lautner, S. Bauer, H. Preis, W.
    Gebhardt, B. Buda, D.J. As, D. Schikora, K. Lischka, K.
    Papagelis and S. Ves, J. Appls. Phys. 86, 4403(1999).

    QR CODE
    :::