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研究生: 廖敏婷
Min-Ting Liao
論文名稱: Ag/Ni奈米壓合材料的電性滲導與磁阻探討
Percolation Threshold and Tunneling Magnetoresistance in Ag/Ni Nanocompacts
指導教授: 李文献
Wen-Hsien Li
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 理學院 - 物理學系
Department of Physics
畢業學年度: 93
語文別: 中文
論文頁數: 69
中文關鍵詞: 奈米材料穿隧性電阻臨界滲導穿隧性磁阻
外文關鍵詞: percolation threshold, tunneling magnetoresistance, nanocompacts
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  • 採用銀與鎳兩種奈米微粒,以各種不同質量比例調配之後均勻混合,施加特定的壓力,製成Ag/Ni奈米壓合材料,為樣品(Ag)x(Ni)100-x其中x=5、10、15、30、50、70及100。因鎳的導電性較銀差,所以用來增加銀微粒之間的距離,藉此討論磁性奈米壓合材料的電子傳輸機制。調配樣品內銀與鎳奈米微粒質量比例,鎳微粒在外加磁場下影響電子的傳輸,造成磁阻現象。
    我們利用電子穿隧傳導模型來解釋電子的傳輸機制,當樣品中銀含量30%時,達到滲導臨界值,電子能夠有效地穿隧過鎳微粒。銀含量低於此比例時,樣品具有負的TCR值,呈現非金屬性,在低溫時有負磁阻現象,我們以穿隧性磁阻來解釋它;銀含量高於此比例時,樣品具有正的TCR值,呈現金屬性,在低溫時磁阻有正轉負的現象,推測是由於外加磁場下能階分裂所造成。樣品之磁阻現象皆在溫度50K之下觀測到,當溫度高於50K時,由於熱效應的影響,使得磁阻效應皆消失。


    目錄 論文摘要..................................................................................................Ⅰ 致謝..........................................................................................................Ⅱ 目錄..........................................................................................................Ⅲ 圖目..........................................................................................................Ⅴ 表目..........................................................................................................Ⅶ 第一章 簡介....................................................................………………..1 1-1 奈米複合材料簡介......................................................................1 1-2 奈米材料的物理性質…..............................................................2 1-3 實驗緣起…..................................................................................6 第二章 實驗備製、實驗儀器簡介與量測..............................................7 2-1 樣品備製.......................……...................................................…7 2-2 直流電阻實驗儀器裝置............................................................12 2-3 直流電阻率量測………………………………………………14 第三章 電子傳輸機制…........................................................................16 3-1 電阻溫度係數(TCR)—α值......................................................16 3-2 滲導臨界(percolation threshold).......................................17 3-3 久保效應(Kubo effect)..........….............................................19 3-4 奈米壓合材料的電子傳導機制................................................21 3-5電子穿隧傳導…………………….............................................27 第四章 電阻實驗分析與物理探討…....................................................30 4-1 樣品參數標示............................................................................30 4-2 非金屬性至金屬性轉變...................……….............................35 第五章 磁阻機制…………………………............................................42 5-1磁阻的定義與種類……….........................................................42 5-2穿隧性磁阻TMR(tunneling magnetoresistance)..................48 5-3 Zeeman效應之磁阻 ..........……................................................49 第六章 磁阻實驗分析與物理探討…....................................................52 6-1 非金屬性樣品的磁阻探討........................................................52 6-2 金屬性樣品的磁阻探討...................……….............................59 第七章 結論............................................................................................65 參考文獻..................................................................................................67

    參考文獻
    [1]楊仲準,鐠系與鉍系龐磁阻材料結構、電性、磁性間的互動關係研究,中央大學博士論文(2004)
    [2] H. J. Guntherodt and H. Beck edit, Glassy Metals (I), (Springer-Verlag, Berlin, Germany, 1981), p.141.
    [3] X.Y.Qin, W.Zhang, L.D.Zhang, and L.D.Jiang, Phys. Rev. B56, 10596(1997).
    [4]Da He, and N N Ekere, J. Phys.D : Appl.Phys,vol.37,1848
    (2004)
    [5] W.P.Halperin, Rev. Mod. Phys,Vol.58,533(1986)
    [6] 馮端 主編,固態物理學大辭典,p.499-500(1998年3月初版)
    [7] 李言榮、惲正中,材料物理學概論,初版,p.279-286(2003年6月)
    [8] C.Kittel原著,洪連輝、劉立基、魏榮君編譯,固態物理學導論,第七版,p.328-330(2003年6月七版)
    [9] N.F. Mott and E.A. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials,2thEd.,p.32-35,(Clarendon press,Oxford,1979)
    [10] W.-H. Li, S.Y. Wu, P.-C. Lin, P.J. Huang, F.C. Tsao, M.K. Chung, C.C. Yang, and Y.D. Yao, Phys. Rev. B
    [11] F. Petroff, A. Barthelemy, D. H. Mosca, D. K. Lottis, A. Fert, P. A.Schroeder, W. P. Pratt, Jr. R. Loloee and S. Lequien, Phys. Rev. B44,5355(1991)
    [12] S. S. P. Parkin, R. Bhadra and K. P. Roche, Phys. Rev. Lett, 66, 2152(1991)
    [13] M. N. Baivich, J.M.Broto, A.Fert, F. Nguyen Van Dan, and F. Petroff, Phys. Rev. Lett. 61,2472(1988)
    [14] A. Berkowitz, A. P. Young, J. R. Mitchell, S. Zhang, M. J. Carey, F.E. Spada, F. T. Parker, A. Hutten and G. Thomas, Phys. Rev. Lett.68,3745(1992)
    [15] N.García, M.Muñoz, and Y.-W.Zhao, Phys. Rev.Lett.82,2923 (1999)
    [16]周雄、吳俊斌,物理雙月刊廿六卷四期,581(2004)
    [17] S.A.Solin, Tineke Thio, D.R.Hinese, and J.J.Heremans, Science.289,1530(2000)
    [18] R.Xu, A.Husmann, T.F.Rosenbaum, M.-L.Saboungi, J.E.Enderby, and P.B.Littlewood, Nature.390,57(1997)
    [19] S.L.Bud,ko, P.C.Canfield, C.H.Mielke, and A.H.Lacerda, Phys. Rev. B57,13624(1998)
    [20] A.A.Abrikosov, Phys. Rev. B58,2788(1998)
    [21] A.A.Abrikosov, Phys. Rev. B60,4231(1999)
    [22] H. Y. Hwang, S-W. Cheong, N. P. Ong, and B. Batlogg, Phys. Rev.Lett.77,2041 (1996)
    [23]林品全,Ag/PbO奈米複合材料的電子傳輸與異常磁阻探討,中央大學碩士論文(2004)

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