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研究生： 蕭本俐
Bin-Li Hsian
論文名稱： 球矩陣式電子封裝中鎳與鉛錫合金及鉛鉍錫合金界面反應之研究
指導教授： 高振宏
C. Robert Kao
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 工學院 - 化學工程與材料工程學系
Department of Chemical & Materials Engineering
畢業學年度： 88
語文別： 中文
論文頁數： 137
中文關鍵詞： 鉛鉍錫合金 、鉛錫合金 、球矩陣式封裝 、銲料
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    • 本論文進行兩組實驗，分別是Ni與63Sn37Pb (wt.%，以下同)銲料之反應，及Ni與43Sn14Bi43Pb銲料之反應。其中63Sn37Pb及43Sn14Bi43Pb為目前電子業界中最廣為使用的銲料之一，而Ni則常用於印刷電路板及BGA之墊層。
    Ni與63Sn37Pb銲料及Ni與43Sn14Bi43Pb銲料反應又分為固/液及固/固反應。在Ni與63Sn37Pb之固/液反應中，我們分別在190、220、250及280℃四個溫度進行反應，反應時間為3∼192小時不等。在190oC反應中，Ni與63Sn37Pb合金的界面有一薄生成物層，其組成由EPMA分析得知為Ni3Sn4。此生成物之厚度隨反應時間增加而緩慢增加，反應192小時的厚度僅達9

    目 錄 中文摘要 英文摘要 目 錄 圖 目 錄 表 目 錄 符號說明 第 一 章 緒論 1.1 研究背景 1.1.1 微電子構裝 1.1.2 銲接 1.1.3 銲料 1.1.4 鎳與鉛錫、鉛鉍錫銲料 1.2 研究目的 第 二 章 文獻回顧 2.1 Ni/Sn反應實驗文獻回顧 2.2 Ni/Bi反應實驗文獻回顧 2.3 Pb-Sn銲料反應文獻回顧 2.4 實驗規劃 第 三 章 實驗方法及步驟 3.1 Ni與液態63Sn37Pb及Ni與液態43Sn14Bi43Pb之反應 3.2 Ni與固態63Sn37Pb及Ni與固態43Sn14Bi43Pb之反應 第 四 章 實驗結果 4.1 Ni與液態63Sn37Pb之反應 4.1.1 顯微鏡金相觀察：介金屬形態 4.1.2 介金屬生長動力學 4.1.3 EPMA組成分析 4.2 Ni與固態63Sn37Pb之反應 4.2.1 掃描式電子顯微鏡金相觀察：介金屬形態 4.2.2 介金屬生長動力學 4.2.3 EPMA組成分析 4.3 Ni與液態43Sn14Bi43Pb之反應 4.3.1 顯微鏡金相觀察：介金屬形態 4.3.2 介金屬生長動力學 4.3.3 EPMA組成分析 4.4 Ni與固態43Sn14Bi43Pb之反應 4.4.1 掃描式電子顯微鏡金相觀察：介金屬形態 4.4.2 介金屬生長動力學 4.4.3 EPMA組成分析 第 五 章 討論 5.1 Ni與液態63Sn37Pb及Ni與液態43Sn14Bi43Pb之反應 5.1.1 介金屬生長厚度與生長動力學 5.1.2 介金屬Ni3Sn4的形狀 5.1.3介金屬Ni3Sn4生成的機制 5.2 Ni與固態63Sn37Pb及Ni與固態43Sn14Bi43Pb之反應 5.2.1 介金屬生長厚度與生長動力學 5.2.2介金屬Ni3Sn4的形狀及銲料微結構的變化 第 六 章 結論 參考文獻

    [AVI]R. R. de Avillez, M. F. S. Lopes and A. L. M Silva,
    J. Mater. Sci. Eng A, 205, p.209, 1996.
    [BAD]S. Bader, W. Gust and H. Hieber, Acta Metall. Mater,
    43, p.329, 1995.
    [BAK]H. Baker, ASM Handbook v.3: Alloy Phase Diagrams,
    ASM, Materials Park, OH, p.2355, 1992.
    [BLA1]H. D. Blair, T. Y. Pan and J. M. Nicholson, IEEE 1998
    Electronic Components and Technology Conference,
    p.259, 1998.
    [BLA2]H. D. Blair, T. Y. Pan, and J. M.Nicholson, IEEE/CPMT
    International Electronics Manufacturing Technology
    Symposium, p.282, 1996.
    [CHE]C. P. Chen and Y. A. Chang, Diffusion in Ordered
    Alloys, ed. B. Fultz, R. W. Cahn, And D. Gupta, TMS,
    Warrendale, PA, p.168, 1993.
    [DUC]O. V. Dunchenko and V. I. Dybkov, J. Mater. Sci.
    Lett., 14, p.1725, 1995.
    [DYB]V. I. Dybkov and O. V. Dunchenko, J. Alloys and
    Compounds, 234, p.295, 1996.
    [GLA]J. Glazer, Int. Mater. Rev., 40, p.65, 1995.
    [GUP]Y. P. Gupta, The Properties of Liquid Metals,
    reprints from Adv. Phys., 16, 1967. Taylor & Francis,
    London.
    [GUR]D. Gur and M. Bamberger, Acta Meter., 46, p.4917,
    1998.
    [HAI]J. Haimovich, AMP Journal of Technology, 3, p.46,
    1993.
    [HO]C. E. Ho, Y. M. Chen, and C. R. Kao, “Dissolution
    and reaction kinetics of the solder-ball pads in BGA
    during refolw soldering,” submitted to Journal of
    Electronic Materials.
    [KAN1]S. K. Kang and V. Ramachandran, Scripta Metall., 14,
    p.421, 1980.
    [KAN2]S. K. Kang, R. S. Rai and S. Purushothaman, J.
    Electron. Mater., 25, p.1113, 1996.
    [KAO1]C. R. Kao, Mater. Sci. Eng. A, 238, p.196, 1997.
    [KAO2] C. R. Kao, Ph. D Theses, University of Wisconsin-
    Madison, 1994.
    [KAW]I. Kawakatsu, T. Osawa, and H. Yamaguchi,
    Transactions of Japan Institute of Metals, 13, p.436,
    1972.
    [KAY]P. J. Kay and C. A. Mackay, Transactions of the
    Institute of Metal Finishing, 57, p.169, 1979.
    [KUM]K. Kumar, A. Mosscaritolo, M. Brownawell, J.
    Electrochem. Soc.:Electrochemical Science and
    Technology, 128, p.2165, 1981.
    [LEE1]M. S. Lee, C. M. Liu and C. R. Kao, J. Electron.
    Mater., 28, p.57, 1999.
    [LEE2]M. S. Lee, C. Chen and C. R. Kao, J. Chem. Mater.,
    11, p.292, 1999.
    [Loo]F. J. J. van Loo and G. D. Reick, Acta Metall., 21,
    p.61, 1973.
    [MA]C. H. Ma and R. A. Swalin, Acta Meter., 8, p.388,
    1960.
    [MAS]T. B. Massalski et al. (eds.): Binary Alloy Phase
    Diagrams, 1-2, 2nd edn, 1990. Materials Park, OH, ASM
    International.
    [MFG]Soldering, in Circuits MFG, p.17, 1980.
    [MOR]J. E. Morris, Workshop “The Design and Processing
    Technology of Electronic Packaging”, 1997.
    [NAS1]P. Nash, Bulletin of Alloy Phase Diagram, 8, p.264,
    1987.
    [NAS2]P. Nash, Bulletin of Alloy Phase Diagram, 6, p.350,
    1985.
    [NAS3]P. Nash, Bulletin of Alloy Phase Diagram, 6, p.345,
    1985.
    [RAH]A. Rahn, The Basics of Soldering, John Wiely & Sons,
    1993, New York.
    [PAN]T. Pan, H. D. Blair, D. Mitlin, G. M. Crosbie, J. M.
    Nicholson, and J. Hangas, ASME International
    Mechanical Engineering Conference and Exposition,
    p.12, 1996.
    [PAR]J. O. G. Parent, D. D. L. Chung, and I. M. Bernstein,
    J. Mater. Sci., 23, p.2564, 1988.
    [REV]L. Revay, Surface Technology, 5, p.57, 1977.
    [TWT]J. H. Lau, Ball Grid Array (BGA) and Chip Scale
    Package (CSP) Course, Technical Programs for the
    Semiconductor and Flat Panel Display Equipment and
    Materials Industries, SEMICON Taiwan, 1996.
    [UNS]D. A. Unsworth, and C. A. Mackay, Transactions of the
    Institute of Metal Finishes, 51, p.85, 1973.
    [VIA]P. T. Vianco, K. L. Erickson, and P. L. Hopkins, J.
    Electron. Mater., 23, p.721, 1994.
    [WAR]M. E. Warwick and S. J. Muckett, Circuit World, 9,
    p.5, 1983.
    [WAS]R. J. Wassink, Soldering in Electronics, 2nd ed.,
    Electrochemical Pub. Ltd., p.523, 1989.
    [WIL]R. W. Wild, Technical Report 171200408, IBM Federal
    System Division Laboratory, Owego, NY, 1971.
    [WOO]E. P. Wood and K. L. Nimmo, J. Electron. Mater., 23,
    p.709, 1994.
    [WU]Y. Wu, J. A. Sees, C. Pouraghabagher, L. A. Foster,
    J. L. Marshall, E. G. Jacobs, and R. F. Pinizzotto, J.
    Electron. Mater., 22, p.769, 1993.
    [李明勳]李明勳碩士論文，國立中央大學化學工程研究所，1998。
    [陳 琪]陳琪碩士論文，國立中央大學化學工程研究所，1998。
    [劉家明]劉家明碩士論文，國立中央大學化學工程研究所，1999。
    [陳秋雲]陳秋雲，VLSI製造技術，全華科技圖書股份有限公司，台灣， 1998

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