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| 研究生： |
劉承瑞 Cheng-Rui Liu |
|---|---|
| 論文名稱： |
H2電漿處理之超薄IGZO種子層的低電壓 鐵電電容器以實現30ns/3V讀寫速度且高儲存密度之每單元3位元FeNAND快閃記憶體 H2 Plasma Treatment in IGZO-Based FeCAP for Enhancing Storage Capacity, Switching Speed, and Endurance/Retention |
| 指導教授： |
唐英瓚
Ying-Tsan Tang |
| 口試委員: | |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
資訊電機學院 - 電機工程學系 Department of Electrical Engineering |
| 論文出版年： | 2024 |
| 畢業學年度： | 112 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 88 |
| 相關次數： | 點閱：14 下載：0 |
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