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研究生： 蔡明倫
Min-Lun Tsai
論文名稱： ITO鍍膜於PET基板上之研究
Research of ITO films on PET
指導教授： 李正中
C.C.Lee
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 光電科學與工程學系
Department of Optics and Photonics
畢業學年度： 93
語文別： 中文
論文頁數： 66
中文關鍵詞： 氧化銦錫 、電子槍蒸鍍 、磁控濺鍍 、離子助鍍 、電漿
外文關鍵詞： magnetron sputter, ITO, e-beam evaporation, Indium Tin Oxide, plasma, IAD
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    • 我們探討不同的鍍膜系統製程對於ITO薄膜的影響與差異。發現電子槍蒸鍍加上IAD使得膜層更加緻密，但仍不如磁控濺鍍。於濺鍍系統上鍍製ITO薄膜於PET基板上，並改變不同的實驗參數，可得到一最佳參數:氧流量3sccm，濺鍍功率500w，於可見光範圍平均穿透率80％，電阻約5*10-4。並進一步利用電漿的預處理或後處理，以及離子源輔助濺鍍等方法，觀察處理之後的影響，發現於紅外光波段的穿透率皆有下降，且折射率增加，表示膜層變得更加緻密。但消光係數卻提升，可能是缺陷的增加。

    We research the influence and difference of ITO thin film coating with different coating system and coating condition. We found that coating with e-beam evaporation with IAD makes film denser, but the effect is not good as magnetron sputtering. Coating ITO thin film on PET with sputtering system and different coating parameter, we can get a bit set of parameter: Oxygen flow 3sccm, sputtering power 500w. With such coating parameter, we can have sample with average 80% transmittance at visible range and 5*10-4.Observing the samples coating by sputter with IAD and further plasma pre-treating or post-treating, we found that the average transmittance at IR range drops and refractive indices increases, indicating that the film become denser. However the extinction coefficient rises that may due to the increase of the defect.

    Abstract………………………………………………………………Ⅱ 誌謝……………………………………………………………………Ⅲ 目錄……………………………………………………………………Ⅳ 圖目錄…………………………………………………………………Ⅶ 表目錄…………………………………………………………………Ⅸ 第一章 緒論……………………………………………………………1 1-1前言…………………………………………………………………1 1-2 研究動機與目的……………………………………………………2 第二章 基本理論………………………………………………………4 2-1 ITO薄膜特性………………………………………………………4 2-1-1 ITO薄膜基本簡介………………………………………………4 2-1-2電性………………………………………………………………5 2-1-3 光學特性……………………………………………………… 8 2-2鍍膜方法……………………………………………………………12 2-3 磁控濺鍍機制……………………………………………………14 2-3-1 直流放電與電漿簡介…………………………………………14 2-4 PET塑膠基板介紹………………………………………………18 第三章 實驗儀器與架構………………………………………………20 3-1蒸鍍系統……………………………………………………………20 3-2濺鍍系統……………………………………………………………20 3-3電漿系統……………………………………………………………20 3-4 量測系統…………………………………………………………21 3-4-1 霍爾效應量測系統……………………………………………21 3-4-2 光譜儀…………………………………………………………21 3-4-3 原子力顯微鏡（AFM）…………………………………………21 3-4-4 橢偏儀(Ellipsometer) ………………………………………21 3-5 實驗架構…………………………………………………………22 第四章 實驗結果與分析………………………………………………25 4-1離子助鍍與溫度對氧化銦錫的影響(電子槍蒸鍍) ……………25 4-2功率與氧壓…………………………………………………………30 4-2-1氧流量的影響……………………………………………………30 4-2-2濺鍍功率的影響…………………………………………………34 4-3電漿預處理…………………………………………………………38 4-4離子輔助濺鍍………………………………………………………41 4-5電漿後處理…………………………………………………………44 第五章 結論……………………………………………………………48 參考文獻………………………………………………………………50 附錄一…………………………………………………………………52

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