本研究針對車籠埔斷層在竹山與霧峰、新化斷層在那菝林地區、梅山斷層在崎頂等各處的槽溝，進行地電阻法的施測，並將結果與該測線所在槽溝進行對比。運用地電阻方法探勘結果與槽溝對比結果，找出其對應關係，並得到以下幾點結論︰
1.竹山地區礫石層之電阻率從300Ω-m一直可到1000Ω-m以上，錦水頁岩則多在40Ω-m以下，視電阻率差別大，易於分辨。
2.藉由地電阻率的不連續面與地表的高低落差相配合，並可以判斷出斷
層帶的分佈以及走向。
3竹山區高電阻的礫石層被兩個低電阻不連續面截成三段，此三段礫石層
之中，最南段仍在地表底下，深度達到八公尺以上；中段及北段則已經出露在地表。三段厚度各有不同，表示受侵蝕的程度有所不同。此結果表示，礫石層上的兩個地電阻率不連續面的形成時間不相同，亦即說明 此斷層區層經多次斷層運動，非一次活動造成。
4.車籠埔斷層竹山段的上盤電阻率在25-50Ω-m之間，為錦水頁岩；下
盤則在50Ω-m以上，為含礫石層的頭嵙山層。
5.新化斷層位於濱海相區域，電阻率受鹽度及有機沉機的影響甚大，接近海相的部分電阻率較低多在 20Ω-m以下，陸相則相對較高，約在40Ω-m以上。
6.新化那菝林槽溝附近之地電阻率資料，經分析之後推斷斷層位置在槽溝北側，且角度甚大，此推測也在後續開挖中得到證實。
7.梅山地區測線多為礫石，電阻率多為300Ω-m以上，即使是土壤層也多在200Ω-m左右。
8.觀測新化及梅山斷層的短間距測線可發現解析度非常優良，細部的地層變化都可以觀測出來，可見短間距的排列方式，可幫助進行細部構造的解析。

The resistivity image profiling(RIP) method is used to investigate the feature of the electric resistivity structures in this study.On the other hand ,the digging of a trench can show the structures clearly,but the depth and the width of the trench is always confined in a narrow site.
We can find out the relationship of a layer or structure between the RIP and trench by making comparison RIP results with trench results.According to the comparison results,we can define the resistivity and thickess of the layers.
The results of this study show that:
1. The thickness of Gravel bed is about 15-20 meters and the resistivity is more than 300 Ω-m.The Resistivity of Chinshi Shale ranges from 5 to 40 Ω-m,the dip of the fault is around 40 degrees eastward in Zhushan area.
2. In Nabalien area,acoording to two different array setting, two different resolution results is available.Shorter electrode distance array produces highter resolution result,but the sight is incapacious.Longer electrode distance array makes sight pantoscopic,but the resolution may be not that good as a shorter one.
3. In Meishan area,because of Gravel formation and dryfarm ,the resistivity value is very hight.The resistivity value of dryfarm is more than 100Ω-m,the value of Gravel formation is more than 300Ω-m.

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